Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| CYF1072V | FIFO с высокой плотностью памяти объемом 72 Мбит |
|
Cypress |
FIFO |
- | - | 1.7 ... 1.9 | -40 ... 85 |
|
| CYF1036V | FIFO с высокой плотностью памяти объемом 36 Мбит |
|
Cypress |
FIFO |
- | - | 1.7 ... 1.9 | -40 ... 85 |
|
| CYF1018V | FIFO с высокой плотностью памяти объемом 18 Мбит |
|
Cypress |
FIFO |
- | - | 1.7 ... 1.9 | -40 ... 85 |
|
| CYF0018V | FIFO с высокой плотностью памяти объемом 18 Мбит |
|
Cypress |
FIFO |
- | - | 1.7 ... 1.9 | -40 ... 85 |
|
| CYF2072V | FIFO с высокой плотностью памяти объемом 72 Мбит |
|
Cypress |
FIFO |
- | - | 1.7 ... 1.9 | -40 ... 85 |
|
| CYF2036V | FIFO с высокой плотностью памяти объемом 36 Мбит |
|
Cypress |
FIFO |
- | - | 1.7 ... 1.9 | -40 ... 85 |
|
| CYF2018V | FIFO с высокой плотностью памяти объемом 18 Мбит |
|
Cypress |
FIFO |
- | - | 1.7 ... 1.9 | -40 ... 85 |
|
| CYF0036V | FIFO с высокой плотностью памяти объемом 36 Мбит |
|
Cypress |
FIFO |
- | - | 1.7 ... 1.9 | -40 ... 85 |
|
| AS7C1029 | Асинхронная статическая память 256Кх4 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| AS7C1028 | Асинхронная статическая память 256Кх4 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| K6R4004C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 1Мх4 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| CY7C1006BN | Статическая память 256K x 4 |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 4.5 ... 5.5 | -45 ... 85 |
|
| IDT71128 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 4 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| IDT71028 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 4 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| GS74104A | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (1M x 4) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| LP621024D-I | Низкопотребляющяя статическая память 128К х 8 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| 1645РУ2 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 64 Кбит (8К x 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов |
|
Миландр |
High Speed SRAM |
8 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
4119.28-6 |
| AS7C4096A | Асинхронная статическая память 512Кх8 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| M48T08 | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |
| MR0A08BC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
