Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| M48Z512AY | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV1288ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0408D-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AS6C2008 | Низкопотребляющая статическая память 256К х 8 |
|
Alliance Memory |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| DS1249Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 2048Кб |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
256 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-32 |
| DS1251W | Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кбит со скрытыми часами реального времени |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
| 1645РУ1 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 1 Мбит (128К x 8) бит |
|
Миландр |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 3 ... 5.5 | -60 ... 125 |
Н18.64-3B |
| M48T12 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| MR0A08B | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| IDT71V424L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| M48Z512A | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.75 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| AS6C1008L | Микропотребляющая статическая память 128К х 8 |
|
Alliance Memory |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| DS1249AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 2048Кб |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
256 | 8 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
MOD-32 |
| DS1248W | Энергонезависимая SRAM емкостью 1024кбит со скрытыми часами реального времени |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
| M48T02 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| IS61LV256AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| MR256A08BM | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 32К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| CY62138VN | Статическая память объемом 2Mb (256Kx8) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IDT71V424S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| M48Z35Y | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 SOH-28 |
