Компоненты группы Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
TS (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 14 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
TS
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                     
HY27UF162G2A 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
AT45DB021E 1.65...3.6 В, 2 Мбит (+ 64 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® Adesto Technologies DataFlash
- 8 1.65 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
UBGA-9
UDFN-8
MT29H8G08 8Гбит (1024М х 8 бит) High Speed NAND Flash Micron NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - VBGA-100
S26KL128S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 128 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
16 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 - FBGA-24
AT45DB321D 2.5 В или 2.7 В, 32 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.5 ... 3.6 -40 ... 85 - BGA-24
SOIC-8
VDFN-8
TSOP-28
M25PX32 32Мб, 75МГц последовательная Flash память с интерфейсом SPI и двойным I/O Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 - SOIC-16-Wide
SOIC-8
TBGA-24
VFQFPN-8
HY27UF082G2A 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
ULGA-52
SM28VLT32-HT Микросхема FLASH памяти объемом 32 Мбит с последовательным интерфейсом (SPI) для жестких условий эксплуатации Texas Instruments Serial Flash
- 16 3 ... 3.6 -55 ... 210 - CFP-14
K9NBG08U5A 32 Гбит (4096М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
S26KL256S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 256 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
32 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 - FBGA-24
AT45DB321C Flash память семейства DataFlash емкостью 32 Мбит и питанием 2.7В Atmel Corporation Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-28
CASON-8
CBGA-24 (5x5)
TSOP28
NAND08GW3B2A 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
1636РР2АУ 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
2048 8 3 ... 3.6 -60 ... 125 - Н16.48-1В
K9WAG08U1A 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TLGA-52
TSOPI-48
S26KL512S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 512 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
64 32 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 - FBGA-24
AT45DB161E 2.3 В или 2.5 В, 16 Мбит (+ 512 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.3 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
UBGA-9
UDFN-8
NAND04GW3B2B 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
M25PX16 16Мб, 75МГц последовательная Flash память с интерфейсом SPI и двойным I/O Numonyx Serial Flash
- 8 2.3 ... 3.6 -40 ... 125 - SOIC-8
TBGA-24
VFQFPN-8
1636РР1АУ 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
512 8 3 ... 3.6 -60 ... 125 - Н14.42-1В
K9K8G08U0A 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 14 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019