Компоненты группы Flash
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
TS °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
|||||||||
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
||
HY27UF162G2A | 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash |
![]() |
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 |
AT45DB021E | 1.65...3.6 В, 2 Мбит (+ 64 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® |
![]() |
Adesto Technologies |
DataFlash |
- | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 UBGA-9 |
MT29H8G08 | 8Гбит (1024М х 8 бит) High Speed NAND Flash |
![]() |
Micron |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
VBGA-100 |
S26KL128S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 128 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
![]() |
Cypress |
NOR Flash |
16 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 | - |
|
AT45DB321D | 2.5 В или 2.7 В, 32 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® |
![]() |
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
BGA-24 SOIC-8 VDFN-8 |
M25PX32 | 32Мб, 75МГц последовательная Flash память с интерфейсом SPI и двойным I/O |
![]() |
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 | - |
SOIC-16-Wide SOIC-8 |
HY27UF082G2A | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash |
![]() |
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 ULGA-52 |
SM28VLT32-HT | Микросхема FLASH памяти объемом 32 Мбит с последовательным интерфейсом (SPI) для жестких условий эксплуатации |
![]() |
Texas Instruments |
Serial Flash |
- | 16 | 3 ... 3.6 | -55 ... 210 | - |
|
K9NBG08U5A | 32 Гбит (4096М х 8 бит) NAND Flash |
![]() |
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
TSOPI-48 |
S26KL256S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 256 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
![]() |
Cypress |
NOR Flash |
32 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 | - |
|
AT45DB321C | Flash память семейства DataFlash емкостью 32 Мбит и питанием 2.7В |
![]() |
Atmel Corporation |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-28 |
NAND08GW3B2A | 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash |
![]() |
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
TSOPI-48 |
1636РР2АУ | 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
![]() |
Миландр |
NOR Flash |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 | - |
Н16.48-1В |
K9WAG08U1A | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash |
![]() |
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
TLGA-52 TSOPI-48 |
S26KL512S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 512 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
![]() |
Cypress |
NOR Flash |
64 | 32 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 | - |
|
AT45DB161E | 2.3 В или 2.5 В, 16 Мбит (+ 512 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® |
![]() |
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 UBGA-9 |
NAND04GW3B2B | 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash |
![]() |
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
TSOPI-48 |
M25PX16 | 16Мб, 75МГц последовательная Flash память с интерфейсом SPI и двойным I/O |
![]() |
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 125 | - |
SOIC-8 |
1636РР1АУ | 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа |
![]() |
Миландр |
NOR Flash |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 | - |
Н14.42-1В |
K9K8G08U0A | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash |
![]() |
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
TSOPI-48 |