+ S26KL128S, Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 128 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit®
 

S26KL128S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 128 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit®

 

Блок-схема

S26KL128S, Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 128 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit®
Увеличить

Группа компонентов

NOR Flash

Основные параметры

Объем памяти,Мбит 128
Организация: Слов,K 16
Организация: Разрядов,бит 8
Время
выборки
,нс
96
VCC от 2.7 до 3.6
ICC,мА 80
TA,°C от -40 до 125
Корпус FBGA-24

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Диапазон напряжения питания: от 1.70 В до 1.95 В (S26KSxxxS) и от 2.7 В до 3.6 В (S26KLxxxS)
  • Объем памяти: 128 Мбит (S26Kx128S), 256 Мбит (S26Kx256S) и 512 Мбит (S26Kx512S)
  • 8-битная шина данных
  • Минимальное количество циклов записи/стирания сектора: 100.000
  • Типовой срок хранения записанных данных при температуре +55ºC: 20 лет
  • Первоначальное время доступа: 96 нс
  • Тактовая частота при скорости считывания данных 333 Мбит/с и напряжении питания 1.8 В: 166 МГц
  • Тактовая частота при скорости считывания данных 200 Мбит/с и напряжении питания 3,0 В: 100 МГц
  • Типовое время записи 512 Байт данных: 475 мкс
  • Типовое время посекторного стирания блока размером 256 КБ: 930 мс
  • Промышленный диапазон рабочих температур: от -40ºC до +85ºC
  • Расширенный промышленный диапазон рабочих температур: от -40ºC до +105ºC
  • Расширенный диапазон рабочих температур (опционально для стандарта AEC-Q100): от -40ºC до +125ºC
  • 24-выводной корпус BGA размером 6 мм x 8 мм

Преимущества:

  • NOR FLASH память HyperFlash обеспечивает высочайшую производительность встраиваемых систем:
    • Немедленное включение устройства за счет быстрого считывания микроконтроллером кода из загрузочного сектора памяти NOR FLASH через интерфейс HyperBus с малым количеством линий
    • Поддержка больших ЖК-дисплеев высокого разрешения благодаря предварительно сохраненным в памяти NOR FLASH просчитанным изображениям, которые затем загружаются непосредственно в графический процессор
    • Плавное отображение сложных движений и графики за счет быстрого считывания нескольких изображений (например, стрелка тахометра на автомобильной панели приборов, выполненной на основе ЖК-экрана)

Область применения:

  • Автомобильные приборные панели
  • Автомобильные информационно-развлекательные системы
  • Коммуникационное оборудование
  • Высокопроизводительные потребительские товары
  • Устройства отображения и графические приложения
  • Различные приложения с высокой скоростью потока отображения графической информации
Datasheet
 
S26Kxxxx (1.2 Мб), 12.04.2016

Производитель
 

Где купить
 


Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

S26Kxxxx Семейство микросхем NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом от 128 Мбит до 512 Мбит, выполненных по 65-нм техпроцессу, с напряжением питания 3.0 В и 1.8 В и технологией MirrorBit® (1.2 Мб), 12.04.2016




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 452
Дата публикации: 12.04.2016 10:43
Дата редактирования: 12.04.2016 10:44


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019