Компоненты группы Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
TS (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 14 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
TS
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                     
HY27UG162G5A 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - FBGA-63
KFG1G16U2C 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - FBGA-63
AT25DF081 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись Adesto Technologies Serial Flash
- 8 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 - SOIC-8
UDFN-8
WLCSP-11
K9LAG08U0M 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
S30ML512P 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P Spansion NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
VFBGA-55
S26KS128S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 128 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
16 8 1.7 ... 1.95 -40 ... 125 - FBGA-24
AT25DF081A 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
SOIC (EIAJ) 8
UDFN-8
NAND08GR3B2C 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 - ULGA-52
M25PE16 16Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
VFQFPN-8
HY27UF162G2B 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
KFN2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
AT25DF641A 64 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
UDFN-8
K9L8G08U1A 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - ULGA-52
MT29H32G08 32Гбит (4096М х 8 бит) High Speed NAND Flash Micron NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TBGA-100
S26KS256S Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 256 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® Cypress NOR Flash
32 16 1.7 ... 1.95 -40 ... 125 - FBGA-24
AT25DF021 2 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.3 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.3 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
UDFN-8
NAND04GW3B2D 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
ULGA-52
M25PX80 8Мб, 75МГц последовательная Flash память с интерфейсом SPI и двойным I/O Numonyx Serial Flash
- 8 2.3 ... 3.6 -40 ... 85 - DIP-8
SOIC-8
VFQFPN-8
HY27UF082G2B 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - FBGA-63
TSOPI-48
ULGA-52
KFM1G16Q2M 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 14 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019