Компоненты группы Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
TS (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
TS
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                     
HY27US16561A 256 Мбит (16М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
TC58NVG0S3CBAJ5 128М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - FBGA-63
KFG1216U2A 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - FBGA-63
1636РР4У 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
2048 8 3 ... 3.6 -60 ... 125 - Н16.48-1В
AT26DF161 Flash память для хранения программного кода из семейства DataFlash емкостью 16 Мбит, напряжением питания 2.7В и последовательным интерфейсом доступа Atmel Corporation Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
VDFN-8
NAND512W4A2C 512Мбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - FBGA-63
TSOPI-48
VFBGA-55
HY27US08561A 256 Мбит (32М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
MT29F8G08FAC 8Гбит (1024М х 8 бит) 3-вольтовая NAND Flash Micron NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
TC58NVG0S3CTA00 128М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
K9F1208U0C 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - FBGA-63
TSOPI-48
S34SL04G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - BGA-63
AT26DF081A 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
NAND512W3A2C 512Мбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - FBGA-63
TSOPI-48
VFBGA-55
MT29F4G08BAC 4Гбит (512М х 8 бит) 3-вольтовая NAND Flash Micron NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
TC58NVM9S3CBAJW 64М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - FBGA-63
S34SL02G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - BGA-63
AT26DF041 Flash память для хранения программного кода из семейства DataFlash емкостью 4 Мбит, напряжением питания 3.0 или 2.7В и последовательным интерфейсом доступа Atmel Corporation Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
VDFN-8
HY27US16281A 128 Мбит (8М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
USOPI-48
MT29F2G08AAC 2Гбит (256М х 8 бит) 3-вольтовая NAND Flash Micron NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
TC58NVM9S3CTA00 64М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019