Компоненты группы Flash
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
TS °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| M25PE10 | 1Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 |
| HY27UG162G5A | 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
FBGA-63 |
| KFG1G16U2C | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
FBGA-63 |
| K9LAG08U0M | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
TSOPI-48 |
| S30ML512P | 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P |
|
Spansion |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
| AT25DF081A | 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 |
| M25PE16 | 16Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 |
| HY27UF162G2B | 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 |
| AT25DF641A | 64 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 |
| K9L8G08U1A | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
ULGA-52 |
| MT29H32G08 | 32Гбит (4096М х 8 бит) High Speed NAND Flash |
|
Micron |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TBGA-100 |
| AT25DF021 | 2 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.3 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 |
| NAND04GW3B2D | 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
TSOPI-48 ULGA-52 |
| M25PX80 | 8Мб, 75МГц последовательная Flash память с интерфейсом SPI и двойным I/O |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
DIP-8 SOIC-8 |
| HY27UF082G2B | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
FBGA-63 TSOPI-48 ULGA-52 |
| AT25BCM512B | 512 кбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт или 32 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
|
| K9G4G08U0A | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
TSOPI-48 ULGA-52 |
| MT29H16G08 | 16Гбит (2048М х 8 бит) High Speed NAND Flash |
|
Micron |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
VBGA-100 |
| AT45DB321E | 2.3 В или 2.5 В, 32 Мбит (+ 1 Мбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 UBGA-9 |
| M25PX64 | 64Мб, 75МГц последовательная Flash память с интерфейсом SPI и двойным I/O |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 | - |
SOIC-16-Wide |
