+ AT45DB021E, 1.65...3.6 В, 2 Мбит (+ 64 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash®
 

AT45DB021E 1.65...3.6 В, 2 Мбит (+ 64 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash®

 

Блок-схема

AT45DB021E, 1.65...3.6 В, 2 Мбит (+ 64 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash®
Увеличить

Группа компонентов

DataFlash

Основные параметры

Объем памяти,Мбит 2
Организация: Разрядов,бит 8
Страница,Байт 256
Блок,кБайт 2
Буфер RAM,Байт 256
Интерфейс SPI
F (макс.),МГц 70
VCC от 1.65 до 3.6
ICC(READ),мА 6.5
ICC(STB),мкА 22
TA,°C от -40 до 85
Корпус SOIC-8 UBGA-9 UDFN-8

Общее описание

AT45DB021E - Flash память последовательного доступа с минимальным напряжением питания 1.65 В, идеально подходящая для хранения цифрового аудио, изображений, программного кода и данных. Микросхема поддерживает последовательный интерфейс RapidS для приложений, требующих высоких скоростей передачи данных. 2162688 бит памяти организованы в виде 1024 страниц по 256 или 264 байта каждая. В дополнение к основной памяти, AT45DB021E содержит один буфер SRAM памяти размером 256/264 байта. Буфер обеспечивает хранение поступающих данных во время перепрограммирования страницы основной памяти. Помимо этого, буфер можно использовать в качестве временной системной памяти, а также для эмуляции EEPROM (с побитной или побайтной перезаписью) благодаря собственному трех-шаговому режиму чтение-модификация-запись.

В отличие от традиционной Flash памяти с произвольным доступом посредством нескольких линий адресации и последовательным интерфейсом, устройства DataFlash компании Adesto используют последовательный интерфейс для последовательного доступа к данным. Простой последовательный доступ значительно снижает размер корпуса и число активных выводов микросхемы, упрощает разводку печатной платы, увеличивает надежность системы и минимизирует коммутационные шумы. Микросхемы DataFlash оптимизированы для применения в широком круге промышленных и потребительских приложений, где необходимы большой объем памяти, минимальное число выводов, низкое напряжение питания и пониженное энергопотребление.

AT45DB021E работает от единой шины питания в диапазоне напряжений от 1.65 В до 3.6 В для функций стирания/записи/чтения. Разрешение доступа к устройству осуществляется посредством вывода Chip Select (CS), а обмен данными - посредством 3-проводного SPI-совместимого интерфейса, включающего выводы Последовательный Вход (SI), Последовательный Выход (SO) и Последовательный Тактовый Сигнал (SCK).

Datasheet
 
AT45DB021E (2.6 Мб), 21.12.2012

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

AT45DB021E 1.65...3.6 В, 2 Мбит (+ 64 Кбит дополнительно), последовательной Flash памяти серии DataFlash® (2.6 Мб), 21.12.2012




Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1588
Дата публикации: 21.12.2012 08:24
Дата редактирования: 21.12.2012 09:37


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019