+ AT45DB161E, 2.3 В или 2.5 В, 16 Мбит (+ 512 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash®
 

AT45DB161E 2.3 В или 2.5 В, 16 Мбит (+ 512 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash®

 

Блок-схема

AT45DB161E, 2.3 В или 2.5 В, 16 Мбит (+ 512 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash®
Увеличить

Группа компонентов

Serial Flash

Основные параметры

Объем памяти,Мбит 16
Организация: Разрядов,бит 8
Страница,Байт 512
Блок,кБайт 4
Буфер RAM,Байт 1024
Интерфейс SPI
F (макс.),МГц 85
VCC от 2.3 до 3.6
ICC(READ),мА 7.5
ICC(WRITE),мА 12
ICC(STB),мкА 25
TA,°C от -40 до 85
Корпус SOIC-8 UBGA-9 UDFN-8

Общее описание

AT45DB161E - Flash память последовательного доступа с минимальным напряжением питания 2.3 В или 2.5 В, идеально подходящая для хранения цифрового аудио, изображений, программного кода и данных. Микросхема поддерживает последовательный интерфейс RapidS для приложений, требующих высоких скоростей передачи данных. 17 301 504 бита памяти организованы в виде 4096 страниц по 512 или 528 байт каждая. В дополнение к основной памяти, AT45DB161E содержит два буфера SRAM памяти по 512/528 байт каждый. Буферы обеспечивают хранение поступающих данных во время перепрограммирования страницы основной памяти. Помимо этого, буферы можно использовать в качестве временной системной памяти, а также для эмуляции EEPROM (с побитной или побайтной перезаписью) благодаря собственному трех-шаговому режиму чтение-модификация-запись.

В отличие от традиционной Flash памяти с произвольным доступом посредством нескольких линий адресации и последовательным интерфейсом, устройства DataFlash компании Adesto используют последовательный интерфейс для последовательного доступа к данным. Простой последовательный доступ значительно снижает размер корпуса и число активных выводов микросхемы, упрощает разводку печатной платы, увеличивает надежность системы и минимизирует коммутационные шумы. Микросхемы DataFlash оптимизированы для применения в широком круге промышленных и потребительских приложений, где необходимы большой объем памяти, минимальное число выводов, низкое напряжение питания и пониженное энергопотребление.

AT45DB161E работает от единой шины питания в диапазоне напряжений от 2.3 В до 3.6 В или от 2.5 В до 3.6 В для функций стирания/записи/чтения. Разрешение доступа к устройству осуществляется посредством вывода Chip Select (CS), а обмен данными - посредством 3-проводного SPI-совместимого интерфейса, включающего выводы Последовательный Вход (SI), Последовательный Выход (SO) и Последовательный Тактовый Сигнал (SCK).

Datasheet
 
AT45DB161E (2.5 Мб), 21.12.2012

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

AT45DB161E 2.3 В или 2.5 В, 16 Мбит (+ 512 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® (2.5 Мб), 21.12.2012




Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 2369
Дата публикации: 21.12.2012 12:30
Дата редактирования: 21.12.2012 12:44


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019