Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 409 410 411 412 413 414 415 416 417 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFK170N20T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 200 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 230 1670 TO-264
IXTK200N10L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 100 11 11 11 11 11 200 1040 TO-264
IXFK120N30T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 300 24 24 24 24 24 120 960 TO-264
IXFK120N20P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 200 22 22 22 22 22 120 714 TO-264
IXTK17N120L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1200 900 900 900 900 900 17 700 TO-264
IXTK120N20P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 200 22 22 22 22 22 120 714 TO-264
IXTK110N20L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 200 24 24 24 24 24 110 960 TO-264
IXFK150N15P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 13 13 13 13 13 150 714 TO-264
IXFK200N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 200 830 TO-264
IXFK180N25T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 250 12.9 12.9 12.9 12.9 12.9 180 1390 TO-264
IXFK32N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 270 270 270 270 270 32 830 TO-264
IXFX60N55Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 550 88 88 88 88 88 60 735 TO-264AA
IXFK48N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 100 100 100 100 100 48 500 TO-264AA
IXFK35N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 150 150 150 150 150 35 416 TO-264AA
IXTK128N15 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 150 15 15 15 15 15 128 540 TO-264AA
IXFK150N15 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 12.5 12.5 12.5 12.5 12.5 150 560 TO-264AA
IXFK73N30 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 45 45 45 45 45 73 520 TO-264AA
IXFK15N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-264AA
IXFK80N20Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 200 28 28 28 28 28 80 360 TO-264AA
IXTK160N20 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 200 13 13 13 13 13 160 730 TO-264AA
Страницы: предыдущая 1 ... 409 410 411 412 413 414 415 416 417 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники