Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
TSM2N7002KCU N-канальный MOSFET транзистор, 60 В, 0.3 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - 4000 2000 0.3 0.3 SOT-323
TSM2N7002KCX N-канальный MOSFET транзистор, 60 В, 0.3 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - 4000 2000 0.3 0.3 SOT-23-3
CPC3703C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
 N 1 250 4000 4000 4000 4000 4000 0.36 1.6 SOT-89
2N7002K N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 60 - - - 4000 2000 0.3 0.35 SOT-23-3
BSH112 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
 N 1 60 - - - 3800 2800 300 0.83 SOT-23-3
2N7002KA N-channel TrenchMOS FET NXP MOSFET
 N 1 60 - - - 3800 2800 320 0.83 SOT-23-3
2N7002T N-channel TrenchMOS FET NXP MOSFET
 N 1 60 - - - 3800 2800 300 0.83 SOT-23-3
PMBF170 N-channel enhancement mode field-effect transistor NXP MOSFET
 N 1 60 - - - 3800 2800 300 0.83 SOT-23-3
IXTY2R4N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 3750 3750 3750 3750 3750 2.4 55 TO-252
IXTP2R4N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 3750 3750 3750 3750 3750 2.4 55 TO-220
IXFA3N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 3600 3600 3600 3600 3600 3.6 100 TO-263
IXFP3N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 3600 3600 3600 3600 3600 3.6 100 TO-220
IXTN8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1500 3600 3600 3600 3600 3600 7.5 700 SOT-227 B
IXTX8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1500 3600 3600 3600 3600 3600 8 700 PLUS247
IXTK8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1500 3600 3600 3600 3600 3600 8 700 TO-264
IXTH6N150 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1500 3500 3500 3500 3500 3500 6 540 TO-247
IXTA4N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 3400 3400 3400 3400 3400 3.6 100 TO-263
IXTP4N80P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 800 3400 3400 3400 3400 3400 3.6 100 TO-220
IXFP4N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 3300 3300 3300 3300 3300 4 150 TO-220
IXFA4N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 3300 3300 3300 3300 3300 4 150 TO-263
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники