Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IRFPG40 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 1000 - - - - 3500 4.3 150 TO-247AC
IXFX24N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 440 440 440 440 440 24 1000 PLUS247
IXFN34N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 280 280 280 280 280 34 700 SOT-227 B
STP2NK100Z N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A, TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 6250 1.85 70 TO-220
IXFR15N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 400 ISOPLUS247
IXTH10N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 1000 1500 1500 1500 1500 1500 10 695 TO-247
IXFP7N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 7 300 TO-220
IXTH3N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 4800 4800 4800 4800 4800 3 125 TO-247
IRFPG30PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 1000 - - - - 5000 3.1 125 TO-247AC
IXFR32N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 350 350 350 350 350 23 570 ISOPLUS247
IXFX32N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 320 320 320 320 320 32 960 PLUS247
STD2NK100Z N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A, DPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 6250 1.85 70 D-PAK
IXFM10N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 300 TO-204AA
STF5NK100Z N-channel 1000V - 2.7? - 3.5A - TO-220FP Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 2700 3.5 30 TO-220FP
IXFA7N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 7 300 TO-263
IXTA3N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 4800 4800 4800 4800 4800 3 125 TO-263
IRFPG30 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 1000 - - - - 5000 3.1 125 TO-247AC
IXFN24N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 390 390 390 390 390 24 600 SOT-227 B
IXFK32N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 320 320 320 320 320 32 960 TO-264
STU2NK100Z N-channel 1000 V, 6.25 ?, 1.85 A, IPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 1000 - - - - 6250 1.85 70 I-PAK
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники