IXTK8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA)

 

Блок-схема

IXTK8N150L, N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 1500
RDS(ON) 1.8 В,мОм 3600
RDS(ON) 2,7 В,мОм 3600
RDS(ON) 2,5 В,мОм 3600
RDS(ON) 4.5 В,мОм 3600
RDS(ON) 10 В,мОм 3600
ID 8
PD,Вт 700
Корпус TO-264

Общее описание

Datasheet
 
IXTx8N150L (147.6 Кб), 23.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTx8N150L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) (147.6 Кб), 23.01.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 901
Дата публикации: 19.02.2009 23:07
Дата редактирования: 23.01.2012 10:07


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019