+ TN2106N3-G, N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

TN2106N3-G N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

 

Блок-схема

TN2106N3-G, N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 60
RDS(ON) 4.5 В,мОм 5000
RDS(ON) 10 В,мОм 2500
ID,А 0.3
PD,Вт 0.74
Корпус TO-92

Общее описание
Datasheet
 
TN2106 (538.8 Кб), 10.06.2009

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

TN2106 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET (538.8 Кб), 10.06.2009



Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 730 Дата публикации: 10.06.2009 22:56
Дата редактирования: 10.06.2009 22:57

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники