IXFR4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFR4N100Q, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 1000
RDS(ON) 1.8 В,мОм 3000
RDS(ON) 2,7 В,мОм 3000
RDS(ON) 2,5 В,мОм 3000
RDS(ON) 4.5 В,мОм 3000
RDS(ON) 10 В,мОм 3000
ID 3.5
PD,Вт 80
Корпус ISOPLUS247

Общее описание

Datasheet
 
IXFR4N100Q (79.9 Кб), 14.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFR4N100Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (79.9 Кб), 14.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 532 Дата публикации: 14.02.2009 12:47
Дата редактирования: 16.01.2012 14:42


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019