Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXTP36N30P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 110 | 110 | 110 | 110 | 110 | 36 | 300 |
TO-220 |
| IXTH24N50 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 230 | 230 | 230 | 230 | 230 | 24 | 300 |
|
| IXTY01N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 80000 | 80000 | 80000 | 80000 | 80000 | 0.1 | 25 |
|
| BSZ0501NSI | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 30 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 2.5 | 2 | 40 | 50 |
|
| BSZ0506NS | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 30 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 5.3 | 4.4 | 40 | 27 |
|
| BSC026NE2LS5 | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 4 | 2.6 | 82 | 29 |
|
| BSZ014NE2LS5IF | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 2.1 | 1.45 | 40 | 69 |
|
| BSC009NE2LS5 | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 1.25 | 0.9 | 100 | 74 |
|
| BSC009NE2LS5I | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 1.35 | 0.95 | 100 | 74 |
|
| SiHA25N50E | Силовые N-канальные MOSFET-транзисторы семейства E с напряжением сток-исток 500 В |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 145 | 26 | 35 |
|
| SiHG25N50E | Силовые N-канальные MOSFET-транзисторы семейства E с напряжением сток-исток 500 В |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 145 | 26 | 250 |
TO-247AC |
| SiHP25N50E | Силовые N-канальные MOSFET-транзисторы семейства E с напряжением сток-исток 500 В |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 145 | 26 | 250 |
TO-220AB |
| IPU80R1K0CE | Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ CE с рабочим напряжением 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 950 | 18 | 83 |
|
| IPD80R2K8CE | Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ CE с рабочим напряжением 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 2800 | 6 | 42 |
TO-252 |
| IPU80R2K8CE | Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ CE с рабочим напряжением 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 2800 | 6 | 42 |
|
| IPD80R1K4CE | Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ CE с рабочим напряжением 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 1400 | 12 | 63 |
TO-252 |
| IPU80R1K4CE | Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ CE с рабочим напряжением 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 1400 | 12 | 63 |
|
| IPD80R1K0CE | Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ CE с рабочим напряжением 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 950 | 18 | 83 |
TO-252 |
| NTP8G202N | Силовой транзистор на основе нитрида галлия с напряжением сток-исток 600 В, выполненный по каскодной схеме |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 350 | 9 | 65 |
TO-220 |
| NTP8G206N | Силовой транзистор на основе нитрида галлия с напряжением сток-исток 600 В, выполненный по каскодной схеме |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 180 | 18 | 97 |
TO-220 |
