Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 14 15 16 17 18 19 20 21 22 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFQ28N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 260 260 260 260 260 28 695 TO-3P
IXTT16N20D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 200 73 73 73 73 73 16 695 TO-268
IXTH16N20D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 200 73 73 73 73 73 16 695 TO-247
IXTT16N10D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 100 64 64 64 64 64 16 695 TO-268
IXFN40N90P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 210 210 210 210 210 33 695 SOT-227 B
IXTH16N10D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 100 64 64 64 64 64 16 695 TO-247
IXTH110N25T N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 250 24 24 24 24 24 110 694 TO-247
IXFV110N25TS N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 250 24 24 24 24 24 110 694 PLUS220SMD
IXFN44N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 190 190 190 190 190 39 694 SOT-227 B
IXFV110N25T N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 250 24 24 24 24 24 110 694 PLUS220
IXTV110N25TS N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 250 24 24 24 24 24 110 694 PLUS220SMD
IXFT50N30Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 80 80 80 80 80 50 690 TO-268
IXFH50N30Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 80 80 80 80 80 50 690 TO-247
IXFT70N20Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 200 40 40 40 40 40 70 690 TO-268
IXFH70N20Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 200 40 40 40 40 40 70 690 TO-247
IXFN32N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 320 320 320 320 320 27 690 SOT-227 B
IXFN140N25T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 250 17 17 17 17 17 120 690 SOT-227
IXFT15N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 15 690 TO-268
IXFH30N50Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 200 200 200 200 200 30 690 TO-247
IXFH15N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 15 690 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 14 15 16 17 18 19 20 21 22 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники