+ SiHA25N50E, Силовые N-канальные MOSFET-транзисторы семейства E с напряжением сток-исток 500 В
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

SiHA25N50E Силовые N-канальные MOSFET-транзисторы семейства E с напряжением сток-исток 500 В

 

Блок-схема

SiHA25N50E, Силовые N-канальные MOSFET-транзисторы семейства E с напряжением сток-исток 500 В

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 500
RDS(ON) 10 В,мОм 145
ID,А 26
PD,Вт 35
Корпус TO-220FP

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
  • Максимальный продолжительный ток стока: 26 А
  • Высокая добротность (FOM): низкое значение произведения RDS(ON) x QG
  • Низкое значение входной ёмкости (Ciss ): 1980 пФ (тип.)
  • Низкое значение остаточного сопротивления открытого канала RDS(ON): 0.125 Ом (тип.)
  • Сниженный уровень потерь на проводимость и переключение
  • Очень низкое значение заряда затвора (Qg): 57 нКл (тип.)
  • Оценка величины энергии лавинного пробоя по методике UIS
  • Диапазон рабочих температур: от -55 °C до +150 °C

Область применения:

  • Схемы коммутации больших токов
  • Источники питания со схемой коррекции коэффициента мощности (PFC)
  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Вычислительная техника
    • Блоки питания ATX для ПК
  • Освещение
    • Двухкаскадные светодиодные светильники
Datasheet
 
SiHA25N50E (164.9 Кб), 17.03.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

SiHA25N50E Силовые N-канальные MOSFET-транзисторы семейства E с напряжением сток-исток 500 В (164.9 Кб), 17.03.2015



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 493 		Дата публикации: 17.03.2015 19:55
Дата редактирования: 17.03.2015 19:56

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники