IPU80R1K4CE Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ CE с рабочим напряжением 800 В

Блок-схема

Группа компонентов

Основные параметры

Общее описание

Отличительные особенности:

• Низкое сопротивление открытого канала R_DS(ON)
• Минимальное значение запасённой энергии в выходной ёмкости транзистора (E_OSS) при напряжении сток-исток 400 В
• Низкий заряд затвора (Q_g)
• Высокая эффективность технологии CoolMOS™, проверенная временем

Область применения:

• Светодиодное освещение

Преимущества:

• Высокая эффективность и плотность мощности
• Высокая надежность
• Легкость применения
• Превосходное соотношение цена/производительность

IPD80R1K4CE, IPU80R1K4CE

Infineon Technologies

Поставки и консультации:

EBV Elektronik

http://www.ebv.com/

Дистрибуторы

• EBV Elektronik
• ЭФО
• Симметрон

Дилеры

• Чиптрэйд
• Элкотех
• ГАММА. Выборг
• СКАНТИ Рус
• СМД Компонент
• Золотой Шар

Где купить ещё