BSC026NE2LS5 Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В

 

Блок-схема

BSC026NE2LS5, Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 25
RDS(ON) 4.5 В,мОм 4
RDS(ON) 10 В,мОм 2.6
ID 82
PD,Вт 29
Корпус SuperSO8

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Наименьшее в своем классе устройств сопротивление открытого канала RDS(ON)
  • Эталонная эффективность переключения — лучшие показатели добротности по RDS(ON) x QG и RDS(ON) x QGD
  • Низкий уровень электромагнитных излучений за счёт встроенной подавляющей цепи
  • Наивысшая плотность мощности в корпусах S308 и Power Block
  • Снижают общую стоимость системы
  • Оптимизированы для применения в схемах с высокой частотой переключения

Область применения:

  • Настольные компьютеры и серверы
  • Одно- и многофазные преобразователи напряжения типа Point-Of-Load
  • Преобразователи напряжения схем питания центральных и графических процессоров в ноутбуках
  • Преобразователи напряжения с высокой плотностью мощности
  • Активные выпрямители (Or-ing архитектура)
  • Электронные предохранители
Datasheet
 
BSC026NE2LS5 (1.5 Мб), 01.07.2015

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

BSC026NE2LS5 Силовые MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В (1.5 Мб), 01.07.2015




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 468
Дата публикации: 01.07.2015 10:46
Дата редактирования: 01.07.2015 10:48


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019