IXTH110N25T N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор

 

Блок-схема

IXTH110N25T, N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 250
RDS(ON) 1.8 В,мОм 24
RDS(ON) 2,7 В,мОм 24
RDS(ON) 2,5 В,мОм 24
RDS(ON) 4.5 В,мОм 24
RDS(ON) 10 В,мОм 24
ID 110
PD,Вт 694
Корпус TO-247

Общее описание

Datasheet
 
IXTH110N25T, IXTV110N25TS (174.8 Кб), 19.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTH110N25T, IXTV110N25TS Trench Gate Power MOSFET (174.8 Кб), 19.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 600 Дата публикации: 19.02.2009 13:13
Дата редактирования: 20.01.2012 13:10


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019