IXFV110N25T N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор

 

Блок-схема

IXFV110N25T, N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 250
RDS(ON) 1.8 В,мОм 24
RDS(ON) 2,7 В,мОм 24
RDS(ON) 2,5 В,мОм 24
RDS(ON) 4.5 В,мОм 24
RDS(ON) 10 В,мОм 24
ID 110
PD,Вт 694
Корпус PLUS220

Общее описание

Datasheet
 
IXFV110N25T (185.4 Кб), 19.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFV110N25T Trench Gate Power HiperFET (185.4 Кб), 19.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 524 Дата публикации: 19.02.2009 13:24
Дата редактирования: 20.01.2012 13:07


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019