Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 17 18 19 20 21 22 23 24 25 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFR20N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 500 500 500 500 500 10 166 ISOPLUS247
IXFR26N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 500 500 500 500 500 15 320 ISOPLUS247
IXTA3N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 500 500 500 500 500 6 300 TO-263
IXFC20N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 500 500 500 500 500 10 166 ISOPLUS220
IXTP12N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 500 500 500 500 500 12 200 TO-220
IXTA12N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 500 500 500 500 500 12 200 TO-263
IXTP12N50PM Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 500 500 500 500 500 6 50 TO-220-3 ISO
IXFP12N50P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 500 500 500 500 500 12 200 TO-220
IXFM15N60 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 500 500 500 500 500 15 300 TO-204AE
IXFA12N50P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 500 500 500 500 500 12 200 TO-263
IXFH15N60 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 500 500 500 500 500 15 300 TO-247AD
IXTR20P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 490 490 490 490 490 -13 190 ISOPLUS247
IXFR24N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 490 490 490 490 490 18 500 ISOPLUS247
IXTH15N50L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 500 480 480 480 480 480 15 300 TO-247
IXTP15N50L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 500 480 480 480 480 480 15 300 TO-220
Si1917EDH P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 2 12 660 - 470 300 - 1 0.57 SC70-6
IXFX26N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 460 460 460 460 460 26 960 PLUS247
IXFK26N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 460 460 460 460 460 26 960 TO-264
IXFN26N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 460 460 460 460 460 23 695 SOT-227 B
PMZ390UN N-channel TrenchMOS standard level FET NXP MOSFET
Транзисторы
 N 1 30 - - 460 390 - 1.78 2.5 SOT-883
Страницы: предыдущая 1 ... 17 18 19 20 21 22 23 24 25 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники