IXFP10N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFP10N60P, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 600
RDS(ON) 1.8 В,мОм 740
RDS(ON) 2,7 В,мОм 740
RDS(ON) 2,5 В,мОм 740
RDS(ON) 4.5 В,мОм 740
RDS(ON) 10 В,мОм 740
ID 10
PD,Вт 200
Корпус TO-220

Общее описание

Datasheet
 
IXFA10N60P, IXFP10N60P (119.8 Кб), 12.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFA10N60P, IXFP10N60P PolarHV HiPerFET Power MOSFET (119.8 Кб), 12.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 414 Дата публикации: 12.02.2009 13:45
Дата редактирования: 13.01.2012 08:36


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019