Компоненты группы N+P

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
Channel P: ID (А)
Channel P: RDS(ON) 10 В (мОм)
Channel P: RDS(ON) 2,7 В (мОм)
Channel P: RDS(ON) 4.5 В (мОм)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
Channel P VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
ID
А
RDS(ON) 10 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
                                       
FDC6321C Dual N & P Channel, Digital FET Fairchild Semiconductor N+P
N, P 2 -1 - 1220 870 25 - - 440 330 - 1 0.9 SSOT-6
FDC6333C 30V N & P-Channel PowerTrench® MOSFETs Fairchild Semiconductor N+P
N, P 2 -8 106 - 142 30 - - - 90 73 8 0.96 SSOT-6
FDS4559 60V Complementary PowerTrench® MOSFET Fairchild Semiconductor N+P
N, P 2 -3.5 105 - 135 60 - - - 75 55 4.5 2 SOIC-8
Si1016X Complementary N- and P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N+P
N+P 2 - - - - 20 - - - - - - 0.25 SC89-6
Si4500BDY Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) Vishay MOSFET
N+P
N+P 2 - - - - 20 - - 24 16 - 3.8 1.3 SOIC-8
STS8C5H30L N-channel 30V - 0.018 ? - 8A/p-channel 30V - 0.045 ? - 5A - SO-8 Low gate charge STripFET™ III MOSFET STMicroelectronics N+P
N 1 - - - - 30 - - - 20 18 8 1.6 SOIC-8




подписка на новости

Подпишись на новости!



радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве





Мероприятия: