Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTH200N075T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 200 | 430 |
|
|
IXTQ200N075T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 200 | 430 |
|
|
IXTA200N075T7 | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 200 | 430 |
TO-263-7 |
|
IXTP200N075T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 200 | 430 |
TO-220 |
|
IXTA200N075T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 200 | 430 |
|
|
SQJQ402E | MOSFET-транзистор семейства TrenchFET® с максимальным током стока до 200 А и напряжением сток-исток до 40 В | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 2 | 1.7 | 200 | 150 |
|
|
IXTK200N10L2 | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 11 | 11 | 11 | 11 | 11 | 200 | 1040 |
|
|
IXTX200N10L2 | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 11 | 11 | 11 | 11 | 11 | 200 | 1040 |
|
|
IXTK200N10P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 200 | 800 |
|
|
IXFN200N10P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 200 | 680 |
SOT-227 |
|
IXFX200N10P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 200 | 830 |
|
|
IXFK200N10P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 200 | 830 |
|
|
IXFN200N07 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 70 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 200 | 520 |
|
|
FDMS86350ET80 | N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 80 В, 190 А | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 80 | - | - | - | - | 2.4 | 198 | 187 |
Power 56 |
|
IRFSL4115PbF | 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 10.3 | 195 | 375 |
TO-262 |
|
IRFS4115PbF | 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 10.3 | 195 | 375 |
D2-PAK |
|
IRFSL3107PbF | 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 2.5 | 195 | 370 |
TO-262 |
|
IRFS3107PbF | 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 2.5 | 195 | 370 |
D2-PAK |
|
IRFSL3006PbF | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2 | 195 | 375 |
TO-262 |
|
IRFS3006PbF | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2 | 195 | 375 |
D2-PAK |