Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
SUM110N06-04L | N-Channel 60-V (D-S) 175°C MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 4 | 2.8 | 110 | 437.5 |
D2-PAK |
|
STU90N4F3 | N-channel 40 V, 5.4 m?, 80 A, IPAK STripFET™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 5.4 | 80 | 110 |
|
|
IPP60R950C6 | 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 860 | 4.4 | 37 |
TO-220 |
|
IRFS23N15D | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 90 | 23 | 3.8 |
D2-PAK |
|
STP20NM50FD | N-channel 500 V, 0.22 ?, 20 A TO-220 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode) | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 220 | 20 | 192 |
TO-220 |
|
FDS3890 | 80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 2 | 80 | - | - | - | - | 34 | 4.7 | 2 |
SOIC-8 |
|
IRF730AL | HEXFET® Power MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 1000 | 5.5 | 74 |
TO-262 |
|
FDP8443_F085 | N-Channel PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 2.7 | 80 | 188 |
TO-220AB |
|
STP11NM60 | N-channel 650V @ TJmax - 0.4? - 11A TO-220 MDmesh™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | - | - | - | 400 | 11 | 160 |
TO-220 |
|
IXFN180N20 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 100 | 700 |
|
|
Si1032R | N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 20 | 9000 | - | 7000 | 5000 | - | 0.2 | 0.3 |
SC75A |
|
NTMFS5C442NL | N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 40 В | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 4 | 2.8 | 121 | 69 |
|
|
IXTH130N10T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 9.1 | 9.1 | 9.1 | 9.1 | 9.1 | 130 | 360 |
|
|
PHP36N03LT | N-channel TrenchMOS logic level FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 18 | 14 | 43.4 | 57.6 |
|
|
IRLU8259PbF | 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 10.6 | 6.3 | 57 | 48 |
|
|
IRF6785 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 100 | 19 | 57 |
|
|
IXFK15N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 700 | 700 | 700 | 700 | 700 | 15 | 360 |
|
|
STP21NM60N | N-channel 600 V - 0.17 ? - 17 A TO-220 second generation MDmesh™ Power MOSFET | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 170 | 17 | 140 |
TO-220 |
|
RFD14N05L | N-Channel Power MOSFETs | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 50 | - | - | - | 100 | - | 14 | 48 |
|
|
FDB5800 | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 5.8 | 4.6 | 80 | 242 |
|