Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXFM10N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 10 | 300 |
|
|
IXFH10N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 10 | 300 |
|
|
Si1023X | Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
P | 2 | 20 | 1800 | - | 1200 | 800 | - | 0.37 | 0.25 |
SC89-6 |
|
Si1013X | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 20 | 1800 | - | 1200 | 800 | - | 0.35 | 0.25 |
SC89-3 |
|
Si1013R | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 20 | 1800 | - | 1200 | 800 | - | 0.35 | 0.15 |
SC75A |
|
IXTT8P50 | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | -8 | 180 |
|
|
IXTH8P50 | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | -8 | 180 |
|
|
SiA456DJ | N-Channel 200-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 1200 | - | 1120 | 1080 | - | 2.6 | 19 |
PowerPAK SC70-6 |
|
IXFR12N100Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 250 |
|
|
IXFR14N100Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 9.5 | 200 |
|
|
IXFH9N80Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 9 | 180 |
|
|
IXFH8N80 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 8 | 180 |
|
|
IXFQ10N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|
|
IXTP7N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 7 | 150 |
TO-220 |
|
IXFP10N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
TO-220 |
|
IXTA7N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 7 | 150 |
|
|
IXFH10N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|
|
IXFA10N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|
|
IXTP7N60PM | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 4 | 41 |
|
|
IXFH10N90 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|