FDMS86350ET80 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 80 В, 190 А

 

Блок-схема

FDMS86350ET80, N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 80 В, 190 А
Увеличить

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 80
RDS(ON) 10 В,мОм 2.4
ID 198
PD,Вт 187
Корпус Power 56

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Максимально допустимая рабочая температура перехода +175°C
  • Обладают на 10-85% большей плотностью мощности при соответствии требованиям стандарта IPC-9592
  • Самое низкое значение сопротивления открытого канала RDS(ON) и лучший показатель добротности FOM, повышающие КПД прибора
  • Увеличенная в три раза наработка на отказ
  • Сниженная в три раза интенсивность отказов

Область применения:

  • Киловаттные источники питания
  • Солнечные инверторы
  • Мощные электроинструменты
  • Авиационные приборы
  • Вилочные погрузчики, поезда и сельскохозяйственное оборудование
  • Сетевые источники питания малого форм-фактора
Datasheet
 
FDMS86350ET80 (306.1 Кб), 21.07.2015

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

FDMS86350ET80 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 80 В, 190 А (306.1 Кб), 21.07.2015




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 218
Дата публикации: 21.07.2015 09:18
Дата редактирования: 21.07.2015 09:20


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019