Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| CY7C4021KV13 | Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (4M x18), 667 МГц |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
4096 | 18 | 1.26 ... 1.34 | 0 ... 70 |
|
| 24VL024H | Микросхема последовательной памяти EEPROM объемом 2К с интерфейсом I2C, с защитой от записи половины области памяти |
|
Microchip |
SEEPROM |
2 | 8 | 1.5 ... 3.6 | -20 ... 85 |
DIP-8 MSOP-8 SOIC-8 TSSOP-8 |
| 24VL025 | Микросхема последовательной памяти EEPROM объемом 2К с интерфейсом I2C |
|
Microchip |
SEEPROM |
2 | 8 | 1.5 ... 3.6 | -20 ... 85 |
DIP-8 MSOP-8 SOIC-8 SOT-23-6 TSSOP-8 |
| 24VL024 | Микросхема последовательной памяти EEPROM объемом 2К с интерфейсом I2C |
|
Microchip |
SEEPROM |
2 | 8 | 1.5 ... 3.6 | -20 ... 85 |
DIP-8 MSOP-8 SOIC-8 TSSOP-8 |
| 24VL014H | Микросхема последовательной памяти EEPROM объемом 1К с интерфейсом I2C, с защитой от записи половины области памяти |
|
Microchip |
SEEPROM |
1 | 8 | 1.5 ... 3.6 | -20 ... 85 |
DIP-8 MSOP-8 SOIC-8 TSSOP-8 |
| 24VL014 | Микросхема последовательной памяти EEPROM объемом 1К с интерфейсом I2C |
|
Microchip |
SEEPROM |
1 | 8 | 1.5 ... 3.6 | -20 ... 85 |
DIP-8 MSOP-8 SOIC-8 SOT-23-6 TSSOP-8 |
| K9F2G08R0A | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| BH616UV8011 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AT25DL161 | 16 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| BH616UV8010 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS61WV10248ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| AT25DL081 | 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| BH62UV8001 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AT25DF081 | 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| BH62UV4000 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV51216ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV5128BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
|
| CY62157EV18 | Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 2.25 | -40 ... 85 |
|
| LP62E16128A-I | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
| K9F5608R0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
