Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: 1 2 3 4 5 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
1636РР5У 1М (128Кх8), микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
128 8 4.5 ... 5.5 -60 ... 125 Н14.42-1В
1645РК2Т Микросхема двухпортового статического ОЗУ емкостью 16К (2Кх8) бит Миландр Синхронная FIFO
- 8 4.5 ... 5.5 -60 ... 125 4134.48-2
1636РР3У 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
512 8 3 ... 3.6 -60 ... 125 Н14.42-1В
1636РР1АУ 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
512 8 3 ... 3.6 -60 ... 125 Н14.42-1В
1645РУ1 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 1 Мбит (128К x 8) бит Миландр High Speed SRAM
128 8 3 ... 5.5 -60 ... 125 Н18.64-3B
1645РТ3У Однократно программируемое ПЗУ Flash-типа емкостью 2M с перестраиваемой организацией 128Кх16 или 256Кх8 Миландр NOR Flash
256 8 3 ... 5.5 -60 ... 125 5134.64-6
1636РР2АУ 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
2048 8 3 ... 3.6 -60 ... 125 Н16.48-1В
1645РУ2 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 64 Кбит (8К x 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов Миландр High Speed SRAM
8 8 4.5 ... 5.5 -60 ... 125 4119.28-6
1645РТ2У Однократно электрически программируемое постоянное запоминающее устройство емкостью 256К (32Кх8) бит Миландр NOR Flash
32 8 3 ... 3.6 -60 ... 125 5134.64-6
1645РУ3 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 4 Мбит (256К x 16 бит) Миландр High Speed SRAM
256 16 3 ... 3.6 -60 ... 125 Н18.64-3B
5576РТ1У Микросхема радиационностойкого однократно программируемого ПЗУ емкостью 1 Мб для конфигурирования ПЛИС Миландр SBRAM
128 8 3 ... 3.6 -60 ... 100 5134.64-6
1645РУ4 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 16 Мбит (1М x 16 бит) Миландр High Speed SRAM
1024 16 3 ... 3.6 -60 ... 125 5134.64-6
5576РС1У ПЗУ с электрическим перепрограммированием Flash-типа 4 Мбит для конфигурирования ПЛИС Миландр NOR Flash
512 8 3 ... 3.6 -60 ... 125 Н09.28-1В
1636РР4У 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
2048 8 3 ... 3.6 -60 ... 125 Н16.48-1В
1645РГ1Т Двухпортовое СОЗУ типа FIFO 144 Кбит (16Кх9) Миландр Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 -60 ... 125 4119.28-6
1645РУ5У Микросхема асинхронного статического ОЗУ объемом 4Мбит (512К х 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов Миландр Асинхронная FIFO
- 8 3 ... 5.5 -60 ... 125 5134.64-6
W26020A Высокоскоростная ИС статической памяти 128К х 16 Winbond High Speed SRAM
128 16 4.75 ... 5.25 0 ... 70 TSOP-44
W24257Q Малопотребляющая статическая память 32Кх8 Winbond Low Power SRAM
32 8 4.75 ... 5.25 0 ... 70 TSOP28
W2465 ИС статической памяти 8К х 8 Winbond Low Power SRAM
8 8 4 ... 5.25 0 ... 70 DIP-28
SOP-28
W24L257 ИС статической памяти 32К х 8 Winbond Low Power SRAM
32 8 2.7 ... 5.25 -40 ... 85 TSSOP-28
SOP-28
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!



радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:
20-я Международная выставка электронных компонентов, модулей и комплектующих
X Специализированный форум - выставка
Передовые Технологии Автоматизации. ПТА - Санкт-Петербург 2017
15 международная выставка по электронике, компонентам, оборудованию и технологиям ChipEXPO-2017