Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: 1 2 3 4 5 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
K9F2G08R0A 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 FBGA-63
KFH1G16Q2M 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
AT93C46A Automotive 3-х проводная SEEPROM с расширенным температурным диапазоном и объемом памяти 1К Atmel Corporation SEEPROM
1 - 2.7 ... 5.5 -40 ... 125 SOIC-8
TC58NVG0S3CTA00 128М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 TSOPI-48
NAND02GR3B2C 2Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 FBGA-63
HY27US16122B 512 Мбит (32М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 TSOPI-48
KFH4G16Q2M 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
K9F1G08U0B 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
KFG1216U2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
S34SL04G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-63
TC58NVM9S3CBAJW 64М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
NAND01GW3B2B 1Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
HY27US08122B 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
KFG2G16Q2M 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
K9F5608U0D 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
WSOPI-48
KFG1216U2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -30 ... 85 FBGA-63
S34SL02G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-63
AT93C46 Automotive 3-х проводная SEEPROM с раширенным температурным диапазоном и объемом памяти 1К (128 х 8 или 64 х 16) Atmel Corporation SEEPROM
1 - 2.7 ... 5.5 -40 ... 125 SOIC-8
TC58NVM9S3CTA00 64М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 TSOPI-48
NAND01GR3B2B 1Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 FBGA-63
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!



радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Кабель в Краснодаре

Мероприятия:


Семинар по решениям Analog Devices в области аналоговой электроники
XIII Международная специализированная выставка
Передовые Технологии Автоматизации. ПТА-Урал 2017