Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
||
K9F2G08R0A | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash |
![]() |
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
KFH1G16Q2M | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память |
![]() |
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
AT93C46A Automotive | 3-х проводная SEEPROM с расширенным температурным диапазоном и объемом памяти 1К |
![]() |
Atmel Corporation |
SEEPROM |
1 | - | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
TC58NVG0S3CTA00 | 128М х 8 бит NAND FLASH |
![]() |
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
NAND02GR3B2C | 2Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
![]() |
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
HY27US16122B | 512 Мбит (32М х 16 бит) NAND Flash |
![]() |
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
KFH4G16Q2M | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память |
![]() |
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
K9F1G08U0B | 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash |
![]() |
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
KFG1216U2M | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память |
![]() |
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
S34SL04G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи |
![]() |
Cypress |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
TC58NVM9S3CBAJW | 64М х 8 бит NAND FLASH |
![]() |
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
NAND01GW3B2B | 1Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash |
![]() |
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
HY27US08122B | 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash |
![]() |
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
KFG2G16Q2M | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память |
![]() |
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
K9F5608U0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash |
![]() |
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 WSOPI-48 |
KFG1216U2M | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память |
![]() |
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
S34SL02G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи |
![]() |
Cypress |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
AT93C46 Automotive | 3-х проводная SEEPROM с раширенным температурным диапазоном и объемом памяти 1К (128 х 8 или 64 х 16) |
![]() |
Atmel Corporation |
SEEPROM |
1 | - | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
TC58NVM9S3CTA00 | 64М х 8 бит NAND FLASH |
![]() |
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
NAND01GR3B2B | 1Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
![]() |
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |