Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| AT45DB642D | 64 Мбит, последовательная Flash память серии DataFlash®, напряжение питания 2,7 В, двойной (последовательный/параллельный) интерфейс |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
BGA-24 TSSOP-28 |
| M45PE16 | 16Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| AT45DB011D | 2.7 В, 1 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| 1645РК2Т | Микросхема двухпортового статического ОЗУ емкостью 16К (2Кх8) бит |
|
Миландр |
Синхронная FIFO |
- | 8 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
|
| K9F2G08R0A | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| IDT7200L20J | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 20 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| KFH1G16Q2M | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| TC58NVG0S3CTA00 | 128М х 8 бит NAND FLASH |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
| CY7C4261-10JXI | Синхронная FIFO организацией 16K x 9, 10 нс, -40°C...+85°C |
|
Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| NAND02GR3B2C | 2Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| HY27US16122B | 512 Мбит (32М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
| IDT72V06L25J | 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 16K x 9, 25 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| KFH4G16Q2M | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| AT25DL161 | 16 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| AT45DB021B | 2 Мбит 2.7-вольтовая ИС Flash памяти семейства DataFlash® |
|
Atmel Corporation |
DataFlash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-28 SOIC-8 |
| 1645РГ1Т | Двухпортовое СОЗУ типа FIFO 144 Кбит (16Кх9) |
|
Миландр |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
4119.28-6 |
| K9F1G08U0B | 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IDT7200L20SO | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 20 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
SOIC-28 |
| KFG1216U2M | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| S34SL04G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи |
|
Cypress |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
