Главная » Документация » Микросхемы » Память » RAM » SRAM » High Speed SRAM

CY7C4021KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (4M x18), 667 МГц

Блок-схема

Группа компонентов

High Speed SRAM

Основные параметры

Организация: Слов,K	4096
Организация: Разрядов,бит	18
Время выборки,нс	1.5
Ток потребления: I_CC,мА	2500
V_CC,В	от 1.26 до 1.34
T_A,°C	от 0 до 70
Корпус	FCBGA-361

Общее описание

Преимущества QDR SRAM памяти:

Архитектура QDR SRAM предоставляет произвольный доступ к памяти, необходимый для сетевых и других высокопроизводительных приложений. В этих приложениях память является «узким местом», ограничивающим дальнейший рост производительности системы. Например, в сетевых системах каждый пакет данных требует проведения нескольких транзакций с произвольным доступом к памяти. Поэтому скорость обработки пакета в системе зависит от того, насколько быстро можно обеспечить доступ к памяти. Модули QDR SRAM имеют скорость транзакций доступа к памяти намного выше, чем у традиционных модулей, и таким образом способны устранить указанное выше «бутылочное горлышко», повышая производительность системы. Типовое значение скорости транзакции для QDR-IV SRAM составляет до 2132 Мтранз./с. Такой уровень является критическим для перехода к следующему поколению высокопроизводительных систем.

Отличительные особенности:

Встроенный модуль коррекции ошибок обеспечивает целостность данных и исключает программные ошибки
Модули доступны в двух версиях: QDR-IV HP (скорость передачи данных 1334 Мтранз./с) и QDR-IV XP (скорость передачи данных 2132 Мтранз./с)
Два независимых двунаправленных порта данных памяти DDR1
Функция инверсии шины для снижения шумов при одновременном подключении линий ввода и вывода
Встроенная схема согласования (ODT) снижает сложность плат
Тренинг на перекос для улучшения временных характеристик захвата сигнала
Уровень сигналов ввода-вывода: от 1.2 В до 1.25 В (высокоскоростная приёмопередающая логика (HSTL)/терминированная логика (SSTL)), от 1.1 В до 1.2 В (POD2)
361-выводной корпус FCBGA3
Разрядность шины: x18, x36 бит

Datasheet

CY7C4021KV13, CY7C4041KV13 (1.1 Мб), 03.07.2014

Производитель

Cypress

Где купить

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

CY7C4021KV13, CY7C4041KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (1.1 Мб), 03.07.2014

Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1113

Дата публикации: 03.07.2014 13:03
Дата редактирования: 03.07.2014 13:18

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019

Поиск				В компонентах В документах По PDF базе По фирмам
		по всем полям Расширенный поиск