Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
S30MS01GR 1Гбит (64М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 TSOPI-48
HY27SS16561A 256 Мбит (16М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
AT21CS01 Последовательная EEPROM-память объемом 1 Кбит (128 x 8) с однопроводным интерфейсом, с уникальным 64-битным серийным номером Atmel Corporation EEPROM
128 8 1.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-8
SOT-23-3
WLCSP-4
NAND512R4A2C 512Мбит 1.8-вольтовая 16-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
VFBGA-55
S30MS01GR 1Гбит (128М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 TSOPI-48
AT24CS08 Микросхемы последовательной EEPROM памяти объемом 8Кб, содержат 128-битные предустановленные серийные номера Atmel Corporation EEPROM
1024 8 1.7 ... 5.5 -55 ... 125 SOIC-8
SOT-23-5
TSSOP-8
UDFN-8
N25Q128A11 1.8В, 128 Мб SPI-Flash память Numonyx Serial Flash
- 8 1.7 ... 2 -40 ... 85 SOIC-16
TBGA-24
VDFPN-8
KFM1216Q2A 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
NAND512R3A2C 512Мбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 FBGA-63
TSOPI-48
VFBGA-55
S30MS512R 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 TSOPI-48
AT25M02 Последовательная EEPROM память объемом 2 Мбит с интерфейсом SPI Atmel Corporation SEEPROM
262 8 1.7 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-8
WLCSP-8
HY27SS08561A 256 Мбит (32М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 0 ... 70 FBGA-63
TSOPI-48
USOPI-48
AT24CS04 Микросхемы последовательной EEPROM памяти объемом 4Кб, содержат 128-битные предустановленные серийные номера Atmel Corporation EEPROM
512 8 1.7 ... 5.5 -55 ... 125 SOIC-8
SOT-23-5
TSSOP-8
UDFN-8
S30MS512R 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 TSOPI-48
AT24CM02 Последовательная EEPROM память объемом 2 Мбит с интерфейсом I2C Atmel Corporation SEEPROM
262 8 1.7 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-8
WLCSP-8
AT24CS02 Микросхемы последовательной EEPROM памяти объемом 2Кб, содержат 128-битные предустановленные серийные номера Atmel Corporation EEPROM
256 8 1.7 ... 5.5 -55 ... 125 SOIC-8
SOT-23-5
TSSOP-8
UDFN-8
KFG1216Q2B 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
FBGA-67
S30MS01GP 1Гбит (64М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 FBGA-137
TSOPI-48
AT24CS01 Микросхемы последовательной EEPROM памяти объемом 1Кб, содержат 128-битные предустановленные серийные номера Atmel Corporation EEPROM
128 8 1.7 ... 5.5 -55 ... 125 SOIC-8
SOT-23-5
TSSOP-8
UDFN-8
IS62VV25616LL Малопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх16 ISSI High Speed SRAM
256 16 1.7 ... 2.25 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019