Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| DS3644 | Память объемом 1КБ с программированием обработки попыток несанкционированного вмешательства | - | Maxim Integrated |
RAM |
1024 | 8 | - | -55 ... 95 |
|
| IDT71V424L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V424S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V416L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 16 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V416S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 16 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V124SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
128 | 8 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V016SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
64 | 16 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71T016SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 2.5В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
64 | 16 | -40 ... 85 | 2.375 ... 2.625 |
|
| IDT71128 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 4 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| IDT71124 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
128 | 8 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| IDT71028 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 4 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| IDT71024S | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
128 | 8 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| AT93C66A | 3-х проводная SEEPROM с объемом памяти 4K (512 x 8 or 256 x 16) |
|
Atmel Corporation |
SEEPROM |
4 | - | 1 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| CY7C4142KV13 | Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (4M x36), 1066 МГц |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
4096 | 36 | 1.26 ... 1.34 | 0 ... 70 |
|
| CY7C4122KV13 | Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (8M x18), 1066 МГц |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
8192 | 18 | 1.26 ... 1.34 | 0 ... 70 |
|
| CY7C4141KV13 | Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (HP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (4M x36), 667 МГц |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
4096 | 36 | 1.26 ... 1.34 | 0 ... 70 |
|
| CY7C4121KV13 | Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (HP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (8M x18), 667 МГц |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
8192 | 18 | 1.26 ... 1.34 | 0 ... 70 |
|
| CY7C4042KV13 | Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (2 M × 36), 1066 МГц |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
2048 | 36 | 1.26 ... 1.34 | 0 ... 70 |
|
| CY7C4022KV13 | Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (4 M × 18), 1066 МГц |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
4096 | 18 | 1.26 ... 1.34 | 0 ... 70 |
|
| CY7C4041KV13 | Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (2M x 36), 667 МГц |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
2048 | 36 | 1.26 ... 1.34 | 0 ... 70 |
|
