Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: 1 2 3 4 5 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
DS3644 Память объемом 1КБ с программированием обработки попыток несанкционированного вмешательства - Maxim Integrated RAM
1024 8 - -55 ... 95 CSBGA-49
IDT71V424L Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
512 8 -40 ... 85 3 ... 3.6 SOJ-36 (400mil)
SOJ-44
TSOPII-44
IDT71V424S Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
512 8 -40 ... 85 3 ... 3.6 SOJ-36 (400mil)
SOJ-44
TSOPII-44
IDT71V416L Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
256 16 -40 ... 85 3 ... 3.6 BGA-48
SOJ-44
TSOPII-44
IDT71V416S Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
256 16 -40 ... 85 3 ... 3.6 BGA-48
SOJ-44
TSOPII-44
IDT71V124SA Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
128 8 -40 ... 85 3 ... 3.6 SOJ-32
TSOPII-32
IDT71V016SA Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
64 16 -40 ... 85 3 ... 3.6 FBGA-48
SOJ-44
TSOP-44
IDT71T016SA Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 2.5В IDT High Speed SRAM
64 16 -40 ... 85 2.375 ... 2.625 FBGA-48
SOJ-44
TSOP-44
IDT71128 Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) IDT High Speed SRAM
256 4 -40 ... 85 4.5 ... 5.5 SOJ-32
IDT71124 Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) IDT High Speed SRAM
128 8 -40 ... 85 4.5 ... 5.5 SOJ-32
IDT71028 Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) IDT High Speed SRAM
256 4 -40 ... 85 4.5 ... 5.5 SOJ-28 (300mil)
IDT71024S Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) IDT High Speed SRAM
128 8 -40 ... 85 4.5 ... 5.5 SOJ-32
AT93C66A 3-х проводная SEEPROM с объемом памяти 4K (512 x 8 or 256 x 16) Atmel Corporation SEEPROM
4 - 1 ... 5.5 -40 ... 85 SOIC-8
CY7C4142KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (4M x36), 1066 МГц Cypress High Speed SRAM
4096 36 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
CY7C4122KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (8M x18), 1066 МГц Cypress High Speed SRAM
8192 18 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
CY7C4141KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (HP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (4M x36), 667 МГц Cypress High Speed SRAM
4096 36 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
CY7C4121KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (HP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (8M x18), 667 МГц Cypress High Speed SRAM
8192 18 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
CY7C4042KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (2 M × 36), 1066 МГц Cypress High Speed SRAM
2048 36 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
CY7C4022KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (4 M × 18), 1066 МГц Cypress High Speed SRAM
4096 18 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
CY7C4041KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (2M x 36), 667 МГц Cypress High Speed SRAM
2048 36 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019