Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
IDT71V424L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
IDT71V424S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
IDT71V416L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
256 | 16 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
IDT71V416S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
256 | 16 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
IDT71V124SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
128 | 8 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
IDT71V016SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 3.3В | IDT |
High Speed SRAM |
64 | 16 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
|
IDT71T016SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 2.5В | IDT |
High Speed SRAM |
64 | 16 | -40 ... 85 | 2.375 ... 2.625 |
|
|
IDT71128 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) | IDT |
High Speed SRAM |
256 | 4 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
|
IDT71124 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) | IDT |
High Speed SRAM |
128 | 8 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
|
IDT71028 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) | IDT |
High Speed SRAM |
256 | 4 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
|
IDT71024S | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) | IDT |
High Speed SRAM |
128 | 8 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
|
DS1742 | Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени | Maxim Integrated |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-24 |
|
1645РК2Т | Микросхема двухпортового статического ОЗУ емкостью 16К (2Кх8) бит | Миландр |
Синхронная FIFO |
- | 8 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
|
|
IDT7200L20J | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 20 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
IS64C1024AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128х8 | ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
|
AT93C46A Automotive | 3-х проводная SEEPROM с расширенным температурным диапазоном и объемом памяти 1К | Atmel Corporation |
SEEPROM |
1 | - | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
|
CY7C4261-10JXI | Синхронная FIFO организацией 16K x 9, 10 нс, -40°C...+85°C | Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IDT71256S | Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) | IDT |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -55 ... 125 |
PDIP-28 |
|
CAV24C08 | Последовательная EEPROM с интерфейсом I2C объемом 8 Кбит, автомобильного исполнения | ON Semiconductor |
SEEPROM |
1 | 8 | 2.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 TSSOP-8 |
|
CAT24AA08 | Последовательная память с интерфейсом I2C объемом 8Кб | ON Semiconductor |
SEEPROM |
1024 | 8 | 1.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |