+ AT25DF081, 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись
 

AT25DF081 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись

 

Блок-схема

AT25DF081, 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись
Увеличить

Группа компонентов

Serial Flash

Основные параметры

Объем памяти,Мбит 8
Организация: Разрядов,бит 8
Страница,Байт 256
Блок,кБайт 4
Интерфейс SPI
F (макс.),МГц 66
VCC от 1.65 до 1.95
ICC(READ),мА 9
ICC(WRITE),мА 12
ICC(STB),мкА 25
TA,°C от -40 до 85
Корпус SOIC-8 UDFN-8 WLCSP-11

Общее описание

Компонент не рекомендован для новых разработок. Рекомендованная замена AT25DL081.

AT25DF081 - FLASH-память с последовательным интерфейсом доступа. Она рассчитана на использование в широком числе крупносерийных пользовательских приложений с теневым хранением программного кода (хранится во FLASH-памяти, а после подачи питания загружается во внешнюю или внутреннюю оперативную память для исполнения). У AT25DF081 реализована гибкая архитектура стирания блоков памяти различных размеров (минимально 4 кбайт), что позволяет исключить из схемы дополнительную EEPROM для хранения данных.

Размеры секторов и стираемых блоков оптимизированы под потребности современных устройств, сочетающих функции хранения данных и программного кода. Благодаря этому, пространство памяти может использоваться более эффективно. В данном случае, модули программного кода и сегменты данных могут находиться по соседству в пределах своих собственных защищенных секторов, что существенно снижает, свойственные FLASH-памяти с большими размерами секторов и блоков, неиспользуемые объемы памяти. Таким образом, при прочих равных условиях, благодаря более высокой эффективности использования памяти, появляется возможность хранения дополнительных подпрограмм и сегментов данных.

Отличительные особенности

  • Единое напряжение питания от 1.65 В до 1.95 В
  • Последовательный SPI-совместимый интерфейс
    • Поддержка режимов 0 и 3
  • Высокая рабочая частота
    • 100 МГц в режиме интерфейса RapidS
    • 85 МГц в режиме интерфейса SPI
    • Время установки уровня выходного сигнала (Clock-to-Output) tV не более 5 нс
  • Гибкая, оптимизированная под задачи хранения данные + программный код, функция стирания
    • Стирание блоком по 4 Кбайт
    • Стирание блоком по 32 Кбайт
    • Стирание блоком по 64 Кбайт
    • Стирание всей памяти
  • Индивидуальная защита сектора от записи/стирания с функций глобальной установки/снятия защиты
    • 16 секторов по 64 Кбайт каждый
  • Аппаратно управляемая блокировка защищенных секторов посредством вывода WP
  • Функция последовательной блокировки (Lockdown) секторов
    • Переводит любую комбинацию секторов по 64 Кбайт в постоянное состояние "только чтение"
  • 128-байтный однократно программируемый (OTP) регистр защиты
  • Гибкая функция записи
    • Побайтовая или постраничная запись (от 1 до 256 байт)
  • Высокая скорость записи и стирания
    • Типовое время записи страницы (256 байт): 1 мс
    • Типовое время стирания блока по 4 Кбайт: 50 мс
    • Типовое время стирания блока по 32 Кбайт: 250 мс
    • Типовое время стирания блока по 64 Кбайт: 400 мс
  • Автоматический режим определения и сигнализации ошибок записи/стирания
  • Программно управляемый сброс
  • Соответствующий стандарту JEDEC метод чтения идентификатора (ID) устройства и производителя
  • Малая мощность потребления
    • Ток потребления в режиме чтения (при частоте 20 МГц): 5 мА (тип.)
    • Ток потребления в режиме глубоко пониженного потребления (Deep Power-Down): 5 мкА (тип.)
  • Износостойкость: 100.000 циклов запись/стирание
  • Срок хранения данных: 20 лет
  • Поддерживает полный диапазон промышленных температур (-40...+85°C)
  • Промышленно стандартные "зеленые" (не содержат свинца и галогенов, отвечают требованиям RoHS) корпуса
    • 8-выводные SOIC шириной 150 mil (стандарт JEDEC) и 208 mil (стандарт EIAJ)
    • Безвыводной, с 8-ю контактными площадками UDFN (5 х 6 х 0.6 мм)
Datasheet
 
AT25DF081 (766.5 Кб), 26.12.2012

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

AT25DF081 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В (766.5 Кб), 26.12.2012




Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 3127
Дата публикации: 26.12.2012 09:09
Дата редактирования: 26.12.2012 10:33


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019