+ BH616UV8010, Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб
 

BH616UV8010 Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб

 

Блок-схема

BH616UV8010, Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб
Увеличить

Группа компонентов

Low Power SRAM

Основные параметры

Организация: Слов,K 512
Организация: Разрядов,бит 16
Время
выборки
,нс
55
Ток потребления: ICC,мА 12
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА 15
VCC от 1.65 до 3.6
TA,°C от -40 до 85
Корпус TSOPI-48 BGA-48
Datasheet
 
BH616UV8010 (161 Кб), 22.09.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

BH616UV8010 Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб (161 Кб), 22.09.2008




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1399
Дата публикации: 22.09.2008 15:18
Дата редактирования: 22.09.2008 15:20


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019