Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXGR50N60B2 | IGBT-транзистор, 600 В, 68А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 36 | 110 | 1.8 | 18 | 25 | 290 | 140 | 0.9 | 1.55 | 200 | Нет | -55 ... 150 |
|
| STGD10NC60HD | Сверхскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.7 | 14.2 | 5 | 72 | 85 | 31.8 | 95 | 62 | Да | -55 ... 150 |
D-PAK |
| IXXX110N65B4H1 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
650 | 110 | 110 | 2.1 | 38 | 46 | 156 | 85 | 2.2 | 1.05 | 880 | Да | -55 ... 175 |
|
| IXDH20N120D1 | IGBT-транзистор, 1200 В, 38А, низкое напряжение насыщения |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 25 | 90 | 2.4 | 100 | 75 | 500 | 70 | 3.1 | 2.4 | 200 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGR50N60C2D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 75А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 36 | 110 | 2.7 | 18 | 25 | 170 | 60 | 1.4 | 0.74 | 200 | Да | -55 ... 150 |
|
| STGW45NC60VD | Быстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 45 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 50 | 100 | 2.4 | 33 | 13 | 178 | 65 | 333 | 537 | 270 | Да | -55 ... -150 |
|
| IXSX50N60BD1 | IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 50 | 90 | 2.2 | 70 | 70 | 230 | 230 | 2.5 | 4.8 | 300 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGH32N90B2D1 | Высокоскоростной IGBT-транзистор, 900 В, 64А, ультрабыстры диод |
|
IXYS |
IGBT |
900 | 32 | 110 | 2.2 | 20 | 22 | 360 | 330 | 3.8 | 5.75 | 300 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGP20N60B | IGBT-транзистор, 600 В, 40 А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 20 | 90 | 1.7 | 15 | 35 | 220 | 140 | 0.15 | 1.2 | 150 | Нет | -55 ... 150 |
TO-220AB |
| IXBF12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 90 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 100 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGT30N120B3D1 | IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 3...20 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 28 | 110 | 2.96 | 18 | 38 | 216 | 255 | 6.7 | 5.1 | 300 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGT60N60B2 | IGBT-транзистор, 600 В, 75А, частота коммутации 10...25 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 60 | 110 | 1.8 | 28 | 36 | 310 | 240 | 0.6 | 2.8 | 500 | Нет | -55 ... 150 |
|
| STGB20NC60V | Высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 30 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 30 | 100 | 2.5 | 31 | 11 | 100 | 75 | 220 | 330 | 200 | Нет | -55 ... -150 |
D2-PAK |
| NGTB50N60FWG | IGBT транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора до 50 A |
|
ON Semiconductor |
IGBT |
600 | 50 | 100 | 1.45 | 117 | 43 | 285 | 105 | 1.1 | 1.2 | 223 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGT24N170AH1 | IGBT-транзистор, 1700 В, 24А, технология NPT |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 16 | 90 | 4.5 | 23 | 31 | 360 | 96 | 3.6 | 1.47 | 250 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGQ50N60C4D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 36А | - | IXYS |
IGBT |
600 | 36 | 110 | 1.95 | 30 | 45 | 210 | 96 | 1.1 | 0.9 | 290 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXXX100N60B3H1 | IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 100 | 90 | 1.5 | 32 | 60 | 150 | 200 | 2.3 | 2.8 | 695 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXST45N120B | IGBT-транзистор, 1200 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 45 | 90 | 2.5 | 38 | 29 | 440 | 700 | 2.9 | 22 | 300 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGH17N100AU1 | Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 34А |
|
IXYS |
IGBT |
1000 | 17 | 90 | 4 | 100 | 200 | 770 | 1200 | 2.5 | 6 | 150 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGR32N60C | IGBT-транзистор, 600 В, 45А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 26 | 110 | 2.3 | 25 | 25 | 110 | 105 | 0.3 | 0.85 | 140 | Нет | -55 ... 150 |
|
