Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXST15N120BD1 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 15 90 3 30 25 265 298 2.6 3.1 150 Да -55 ... 150 TO-268
IXGX28N140B3H1 IGBT-транзистор, 1400 В, 28А IXYS IGBT
 1400 28 110 3 16 50 215 700 7.3 6.5 300 Да -55 ... 150 PLUS247
IXSH15N120BD1 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 15 90 3 30 25 265 298 2.6 3.1 150 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGH28N140B3H1 IGBT-транзистор, 1400 В, 28А IXYS IGBT
 1400 28 110 3 16 50 215 700 7.3 6.5 300 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXST5N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 15 90 3 30 25 265 298 1.1 3.1 150 Нет -55 ... 150 TO-268
IXSH15N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 15 90 3 30 25 265 298 1.1 3.1 150 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXSP15N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 15 90 3 30 25 265 298 1.1 3.1 150 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXSA15N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 15 90 3 30 25 265 298 1.1 3.1 150 Нет -55 ... 150 TO-263
IXSH30N60AU1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 50А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 30 90 3 60 130 340 340 4.2 6 200 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGP30N120B3 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 3...20 кГц IXYS IGBT
 1200 30 110 2.96 18 38 216 255 6.7 5.1 300 Нет -55 ... 150 TO-220
IXGA30N120B3 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 3...20 кГц IXYS IGBT
 1200 30 110 2.96 18 38 216 255 6.7 5.1 300 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGT30N120B3D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 3...20 кГц IXYS IGBT
 1200 28 110 2.96 18 38 216 255 6.7 5.1 300 Да -55 ... 150 TO-268
IXGH30N120B3D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 3...20 кГц IXYS IGBT
 1200 28 110 2.96 18 38 216 255 6.7 5.1 300 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGH30N120B3 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 3...20 кГц IXYS IGBT
 1200 30 110 2.96 18 38 216 255 6.7 5.1 300 Нет -55 ... 150 TO-247
STGD3HF60HD 4.5 А, 600 В высокоскоростной IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом STMicroelectronics IGBT
 600 4.5 100 2.95 11 4 60 50 19 12 38 Да -55 ... 150 DPAK-3
IXGT28N120BD1 IGBT-транзистор, 1200 В, 50А IXYS IGBT
 1200 28 100 2.9 35 28 250 340 1.4 4.6 250 Да -55 ... 150 TO-268
IXGH28N120BD1 IGBT-транзистор, 1200 В, 50А IXYS IGBT
 1200 28 100 2.9 35 28 250 340 1.4 4.6 250 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGT40N120B2D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 40А IXYS IGBT
 1200 40 110 2.9 21 58 350 420 6.5 8.3 380 Да -55 ... 150 TO-268
IXGH40N120B2D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 40А IXYS IGBT
 1200 40 110 2.9 21 58 350 420 6.5 8.3 380 Да -55 ... 150 TO-247AD
STGPL6NC60DI Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 6 А STMicroelectronics IGBT
 600 6 100 2.9 6.7 3.7 46 47 32 24 56 Да -55 ... -150 TO-220
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники