Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGN60N60C2D1 IGBT-транзистор, 600 В, 60А IXYS IGBT
 600 60 110 2.1 18 25 130 80 0.9 1.2 480 Да -55 ... 150 SOT-227 B
IXGH60N60B2 IGBT-транзистор, 600 В, 75А, частота коммутации 10...25 кГц IXYS IGBT
 600 60 110 1.8 28 36 310 240 0.6 2.8 500 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGN60N60C2 IGBT-транзистор, 600 В, 60А IXYS IGBT
 600 60 110 2.1 18 25 130 80 0.9 1.2 480 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGT60N60 IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 60 90 1.7 50 25 650 550 3 17 300 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGK60N60 IGBT-транзистор, 600 В, 70А IXYS IGBT
 600 60 90 1.7 50 25 650 550 3 17 300 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGH60N60 IGBT-транзистор, 600 В, 70А IXYS IGBT
 600 60 90 1.7 50 25 650 550 3 17 300 Нет -55 ... 150 TO-247
IXXH60N65C4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 60 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 60 110 2.2 37 78 133 30 3.2 0.83 455 Нет -55 ... 175 TO-247AD
IXGK60N60B2D1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А, частота коммутации 10...75 кГц IXYS IGBT
 600 60 110 1.8 28 36 310 240 1.5 2.8 500 Да -55 ... 150 TO-264AA
IXXH60N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 60 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 60 110 2 37 80 145 72 3.13 1.15 380 Да -55 ... 175 TO-247AD
IXGX60N60B2D1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А, частота коммутации 10...75 кГц IXYS IGBT
 600 60 110 1.8 28 36 310 240 1.5 2.8 500 Да -55 ... 150 PLUS247
IXXH60N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 60 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 60 110 2 37 80 145 72 3.13 1.15 455 Нет -55 ... 175 TO-247AD
IXGX60N60C2D1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 60 110 2.1 18 25 130 80 0.9 1.2 480 Да -55 ... 150 PLUS247
MMIX1X100N60B3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 60 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
 600 60 90 1.5 32 60 150 200 2.3 2.8 250 Да -55 ... 150 SMD
IXGR120N60C2 IGBT-транзистор, 600 В, 60А IXYS IGBT
 600 60 110 2.1 40 60 165 92 2.1 1.24 300 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGK60N60C2D1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 60 110 2.1 18 25 130 80 0.9 1.2 480 Да -55 ... 150 TO-264
IXGH60N30C3 IGBT-транзистор, 300 В, 60 А, частота коммутации 50...150 кГц IXYS IGBT
 300 60 110 1.55 22 28 120 101 0.26 0.4 300 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXER60N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 95А, низкое напряжение насыщения, технология NPT IXYS IGBT
 1200 60 90 2.1 80 50 680 30 7.2 4.8 375 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGT60N60C3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 60А, частота коммутации 40-100 кГц IXYS IGBT
 600 60 110 2.2 21 33 112 86 1.25 0.8 380 Да -55 ... 150 TO-268
IXGR60N60U1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 60 90 1.7 50 240 1000 1000 - 26 300 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGH60N60C3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 60А, частота коммутации 40-100 кГц IXYS IGBT
 600 60 110 2.2 21 33 112 86 1.25 0.8 380 Да -55 ... 150 TO-247AD
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники