Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGH20N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 40А IXYS IGBT
 1200 20 90 2 30 27 700 550 0.9 9.5 150 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGH50N60B IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 50 90 2.3 50 50 200 250 3 4.2 300 Нет -55 ... 150 TO-247
T0340VB45G Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 340 А с технологией Press-Pack IXYS IGBT
 4500 340 - 2.8 3700 3600 1800 2200 2400 1300 2750 Да -40 ... 125 Press-Pack Capsule W67
IXGK82N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 82А IXYS IGBT
 1200 82 110 1.83 32 77 340 1250 6.7 22.5 1250 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGH60N60C3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 60А, частота коммутации 40-100 кГц IXYS IGBT
 600 60 110 2.2 21 33 112 86 1.25 0.8 380 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXXH100N60C3 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
 600 100 110 1.68 30 65 105 115 3 1.4 830 Нет -55 ... 175 TO-247AD
IXGT24N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 50А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 24 90 2.5 50 55 200 360 2 12 250 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGK64N60B3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 64А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 34 110 1.59 24 40 195 131 2.7 1.95 460 Да -55 ... 150 TO-264
IXGH12N60CD1 IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 85 85 0.5 0.27 100 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXSA15N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 15 90 3 30 25 265 298 1.1 3.1 150 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA20N100 IGBT-транзистор, 1000 В, 40А IXYS IGBT
 1000 20 90 2.2 30 30 700 520 0.65 6.5 150 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGH30N60BU1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 60А IXYS IGBT
 600 30 110 1.8 25 35 200 230 1 2.5 200 Да -55 ... 150 TO-247
IXBH24N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 24А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 24 110 2.5 35 155 325 960 5 6 250 Да -55 ... 150 TO-247
IXGH30N120B3 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 3...20 кГц IXYS IGBT
 1200 30 110 2.96 18 38 216 255 6.7 5.1 300 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGK50N60A2D1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 72 110 1.35 29 34 510 375 2.6 6.5 540 Да -55 ... 150 TO-264
IXYK120N120C3 IGBT-транзистор, 1200 В, 120 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц IXYS IGBT
 1200 120 110 3.5 37 70 167 90 6.2 4.2 1500 Нет -55 ... 175 TO-264
IXDH30N120D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 60А, технология NPT IXYS IGBT
 1200 38 90 2.4 100 70 500 70 4.6 3.4 300 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGN72N60C3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 52А, частота коммутации 40...100 кГц - IXYS IGBT
 600 52 110 2.1 26 36 120 124 1.48 0.93 360 Да -55 ... 150 SOT-227 B
IXA33IF1200HB IGBT-транзистор, 1200 В, 58 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 34 100 1.8 70 40 250 100 2.5 3 250 Да -55 ... 150 TO-247
IXST24N60BD1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 48А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 24 90 2.5 55 75 190 280 1.2 2.4 150 Да -55 ... 150 TO-268
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники