Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGR60N60C2C1 IGBT-транзистор, 600 В, 39А IXYS IGBT
 600 39 110 2.17 50 60 104 157 0.9 1.2 250 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
STGW40NC60KD IGBT-транзистор на 600 В, 40 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 38 100 2.7 46 18.5 164 87 595 716 250 Да -55 ... -150 TO-247
IXSX40N60CD1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 40 90 2.5 50 50 140 140 2.2 1.7 280 Да -55 ... 150 PLUS247
IXGA12N60C IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 85 85 0.15 0.27 100 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGH60N60 IGBT-транзистор, 600 В, 70А IXYS IGBT
 600 60 90 1.7 50 25 650 550 3 17 300 Нет -55 ... 150 TO-247
STGP19NC60S Быстрый IGBT-транзистор на 600 В, 20 А STMicroelectronics IGBT
 600 20 100 1.9 17.5 6.2 175 215 135 815 125 Нет -55 ... -150 TO-220
IXGT39N60BD1 IGBT-транзистор, 600 В, 76А - IXYS IGBT
 600 39 90 1.7 25 30 360 350 0.3 6 200 Нет -55 ... 150 TO-268
IXXK100N60C3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
 600 100 90 1.68 30 65 105 115 3 1.4 695 Да -55 ... 150 TO-264
IXGP16N60C2 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 16А IXYS IGBT
 600 16 110 3 16 18 115 100 0.27 0.27 150 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGX72N60A3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 90А, ультранизкий Vsat для частоты коммутации выше 5 кГц IXYS IGBT
 600 72 110 1.35 29 34 510 375 2.6 6.5 540 Да -55 ... 150 PLUS247
STGPL6NC60DI Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 6 А STMicroelectronics IGBT
 600 6 100 2.9 6.7 3.7 46 47 32 24 56 Да -55 ... -150 TO-220
IXSA10N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 35А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 20 110 2.5 30 30 180 210 0.42 0.97 190 Да -55 ... 150 TO-263
IXGH48N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 48А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 48 110 1.8 19 25 190 157 1.71 1.3 300 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGP30N60C3 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 30А, частота коммутации 40...100 кГц IXYS IGBT
 600 30 110 2.6 17 28 70 90 0.44 0.33 220 Нет -55 ... 150 TO-220AB
STGP10NB60S 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.25 700 460 - 1200 0.6 5 80 Нет -55 ... 150 TO-220
IXGR50N60BD1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 45 110 2.5 50 60 200 250 3 4.2 250 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
STGW39NC60VD Высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 40 А STMicroelectronics IGBT
 600 40 100 2.4 33 13 178 65 333 537 250 Да -55 ... -150 TO-247
IXSK40N60CD1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 40 90 2.5 50 50 140 140 2.2 1.7 280 Да -55 ... 150 TO-264AA
IXGR12N60C IGBT-транзистор, 600 В, 15 А IXYS IGBT
 600 8 90 2.7 20 20 85 85 0.15 0.27 55 Нет -40 ... 150 ISOPLUS247
IXGT30N60C2D1 IGBT-транзистор, 600 В, 70А IXYS IGBT
 600 30 110 2.7 13 17 120 130 0.22 0.59 190 Да -55 ... 150 TO-268
Страницы: предыдущая 1 ... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники