Компоненты группы Flash
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
TS °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| AT25BCM512B | 512 кбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт или 32 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
|
| K9G4G08U0A | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
TSOPI-48 ULGA-52 |
| MT29H16G08 | 16Гбит (2048М х 8 бит) High Speed NAND Flash |
|
Micron |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
VBGA-100 |
| S26KS512S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 512 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
|
Cypress |
NOR Flash |
64 | 32 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 125 | - |
|
| AT45DB321E | 2.3 В или 2.5 В, 32 Мбит (+ 1 Мбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 UBGA-9 |
| M25PX64 | 64Мб, 75МГц последовательная Flash память с интерфейсом SPI и двойным I/O |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 | - |
SOIC-16-Wide |
| HY27UF162G2A | 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 |
| KFN2G16Q2A | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 | - |
FBGA-63 |
| AT45DB021E | 1.65...3.6 В, 2 Мбит (+ 64 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® |
|
Adesto Technologies |
DataFlash |
- | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 UBGA-9 |
| K9G4G08B0A | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.5 ... 2.9 | -40 ... 85 | - |
TSOPI-48 |
| MT29H8G08 | 8Гбит (1024М х 8 бит) High Speed NAND Flash |
|
Micron |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
VBGA-100 |
| S26KL128S | Микросхема NOR-Flash памяти HyperFlash™ объёмом 128 Мбит, выполненная по 65-нм техпроцессу, с технологией MirrorBit® |
|
Cypress |
NOR Flash |
16 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 | - |
|
| AT45DB321D | 2.5 В или 2.7 В, 32 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
BGA-24 SOIC-8 VDFN-8 |
| NAND04GR3B2D | 4Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 | - |
ULGA-52 |
| M25PX32 | 32Мб, 75МГц последовательная Flash память с интерфейсом SPI и двойным I/O |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 | - |
SOIC-16-Wide SOIC-8 |
| HY27UF082G2A | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 ULGA-52 |
| KFM1G16Q2A | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 | - |
FBGA-63 |
| SM28VLT32-HT | Микросхема FLASH памяти объемом 32 Мбит с последовательным интерфейсом (SPI) для жестких условий эксплуатации |
|
Texas Instruments |
Serial Flash |
- | 16 | 3 ... 3.6 | -55 ... 210 | - |
|
| K9NBG08U5A | 32 Гбит (4096М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
TSOPI-48 |
| KFKAGH6Q4M | 16Гбит (1024М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 | - |
FBGA-63 |
