AT45DB321E 2.3 В или 2.5 В, 32 Мбит (+ 1 Мбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash®
|
Блок-схема  Увеличить Группа компонентов Serial FlashОсновные параметры
Общее описаниеAT45DB321E - Flash память последовательного доступа с минимальным напряжением питания 2.3 В или 2.5 В, идеально подходящая для хранения цифрового аудио, изображений, программного кода и данных. Микросхема поддерживает последовательный интерфейс RapidS для приложений, требующих высоких скоростей передачи данных. 34 603 008 бит памяти организованы в виде 8192 страниц по 512 или 528 байт каждая. В дополнение к основной памяти, AT45DB321E содержит два буфера SRAM памяти по 512/528 байт каждый. Буферы обеспечивают хранение поступающих данных во время перепрограммирования страницы основной памяти. Помимо этого, буферы можно использовать в качестве временной системной памяти, а также для эмуляции EEPROM (с побитной или побайтной перезаписью) благодаря собственному трех-шаговому режиму чтение-модификация-запись. В отличие от традиционной Flash памяти с произвольным доступом посредством нескольких линий адресации и последовательным интерфейсом, устройства DataFlash компании Adesto используют последовательный интерфейс для последовательного доступа к данным. Простой последовательный доступ значительно снижает размер корпуса и число активных выводов микросхемы, упрощает разводку печатной платы, увеличивает надежность системы и минимизирует коммутационные шумы. Микросхемы DataFlash оптимизированы для применения в широком круге промышленных и потребительских приложений, где необходимы большой объем памяти, минимальное число выводов, низкое напряжение питания и пониженное энергопотребление. AT45DB321E работает от единой шины питания в диапазоне напряжений от 2.3 В до 3.6 В или от 2.5 В до 3.6 В для функций стирания/записи/чтения. Разрешение доступа к устройству осуществляется посредством вывода Chip Select (CS), а обмен данными - посредством 3-проводного SPI-совместимого интерфейса, включающего выводы Последовательный Вход (SI), Последовательный Выход (SO) и Последовательный Тактовый Сигнал (SCK). |
 AT45DB321E (2.6 Мб), 29.03.2013
|
Datasheet
AT45DB321E 2.3 В или 2.5 В, 32 Мбит (+ 1 Мбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® (2.6 Мб), 29.03.2013
| Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, Кол-во просмотров: 3317 |
Дата публикации: 21.12.2012 12:44 Дата редактирования: 29.03.2013 08:10 |
