Главная > Документация > Микросхемы > Память

Компоненты группы Flash

Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
V_CC (В)	От до
T_A (°C)	От до
T_S (°C)	От до
Корпус

Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 14 следующая

Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	Организация		V_CC В	T_A °C	T_S °C	Корпус
Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	Слов K	Разрядов бит	V_CC В	T_A °C	T_S °C	Корпус

TC58CVG1S3H	NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит		Toshiba	NAND Flash	-	-	3 ... 3.3	-40 ... 85	-	SOP-16 WSON-8
NAND02GR3B2D	2Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash		Numonyx	NAND Flash	-	-	1.7 ... 1.95	-40 ... 85	-	FBGA-63
HY27SF161G2A	1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash		Hynix	NAND Flash	-	-	1.7 ... 1.95	0 ... 70	-	TSOPI-48
KFN4G16Q2A	4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память		Samsung Electronics	NAND Flash	-	-	1.7 ... 1.95	-30 ... 85	-	FBGA-63
K9K8G08U1A	8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash		Samsung Electronics	NAND Flash	-	-	2.7 ... 3.6	-40 ... 85	-	ULGA-52
KFH8GH6Q4M	8Гбит (512М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash		Samsung Electronics	NAND Flash	-	-	1.7 ... 1.95	-30 ... 85	-	FBGA-63
TC58CYG0S3H	NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит		Toshiba	NAND Flash	-	-	1.675 ... 1.8	-40 ... 85	-	SOP-16 WSON-8
NAND01GW3B2C	1Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash		Numonyx	NAND Flash	-	-	2.7 ... 3.6	-40 ... 85	-	TSOPI-48
HY27SF081G2A	1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash		Hynix	NAND Flash	-	-	1.7 ... 1.95	0 ... 70	-	FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48
K9F4G08U0A	4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash		Samsung Electronics	NAND Flash	-	-	2.7 ... 3.6	-40 ... 85	-	TSOPI-48 ULGA-52
KFG4GH6U4M	4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash		Samsung Electronics	NAND Flash	-	-	2.7 ... 3.6	-40 ... 85	-	FBGA-63
TC58CVG0S3H	NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит		Toshiba	NAND Flash	-	-	3 ... 3.3	-40 ... 85	-	SOP-16 WSON-8
NAND01GR3B2C	1Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash		Numonyx	NAND Flash	-	-	1.7 ... 1.95	-40 ... 85	-	FBGA-63
HY27US161G1M	1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash		Hynix	NAND Flash	-	-	2.7 ... 3.6	0 ... 70	-	TSOPI-48 USOPI-48
KFM2G16Q2A	2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память		Samsung Electronics	NAND Flash	-	-	1.7 ... 1.95	-30 ... 85	-	FBGA-63
K9F2G08U0A	2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash		Samsung Electronics	NAND Flash	-	-	2.7 ... 3.6	-40 ... 85	-	TSOPI-48 ULGA-52
KFG4GH6Q4M	4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash		Samsung Electronics	NAND Flash	-	-	1.7 ... 1.95	-30 ... 85	-	FBGA-63
NAND02GW3B2C	2Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash		Numonyx	NAND Flash	-	-	2.7 ... 3.6	-40 ... 85	-	TSOPI-48
HY27US081G1M	1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash		Hynix	NAND Flash	-	-	2.7 ... 3.6	0 ... 70	-	TSOPI-48 USOPI-48
KFW8G16Q2M	8Гб (512М х 16 бит) OneNAND Flash память		Samsung Electronics	NAND Flash	-	-	1.7 ... 1.95	-30 ... 85	-	FBGA-63

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 14 следующая

Подпишись на новости!

Мероприятия:

Поиск				В компонентах В документах По PDF базе По фирмам
		по всем полям Расширенный поиск