Компоненты группы Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
TS (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 14 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
TS
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                     
AT25F512B 512 кбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт или 32 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
UDFN-8
M25PE40 4Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
VFQFPN-8
M25P40 4Мб, 75МГц низкопотребляющая последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.3 ... 3.6 -40 ... 125 - SOIC-8
QFN-8
VFQFPN-8
NAND04GW3C2B 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
NAND04GW3B2B 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
NAND04GW3B2D 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
ULGA-52
NAND04GR3B2D 4Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 - ULGA-52
S30MS04GR 4Гбит (512М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 - TSOPI-48
MT29F4G08BAC 4Гбит (512М х 8 бит) 3-вольтовая NAND Flash Micron NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
S30MS04GR 4Гбит (256М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R Spansion NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -25 ... 85 - TSOPI-48
KFM4GH6Q4M 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
KFG4GH6Q4M 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
KFG4GH6U4M 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - FBGA-63
KFW4G16Q2M 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
KFH4G16Q2M 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
KFN4G16Q2A 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
KFN4G16Q2M 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
KFW4G16Q2A 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
KFH4G16Q2A 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
1636РР3У 4 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
512 8 3 ... 3.6 -60 ... 125 - Н14.42-1В
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 14 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019