Компоненты группы Flash
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
TS °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| MT29F4G08AAA | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash |
|
Micron |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 |
| S30ML256P | 256Мбит (16М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P |
|
Spansion |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
| AT25DF641 | 64 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-16-Wide VDFN-8 |
| NAND08GW3B4C | 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
ULGA-52 |
| M25PE40 | 4Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 |
| HY27UF164G2B | 4 Гбит (256М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 |
| KFG1G16Q2C | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 | - |
FBGA-63 |
| AT25DL161 | 16 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 |
| K9MCG08U5M | 32 Гбит (4096М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
TSOPI-48 |
| S30ML256P | 256Мбит (32М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P |
|
Spansion |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
| AT25DF321 | 32 Мб ИС последовательной Flash памяти семейства DataFlash® |
|
Atmel Corporation |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-16 SOIC-8 |
| NAND08GR3B4C | 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 | - |
ULGA-52 |
| M25PE20 | 2Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 |
| HY27UF084G2B | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 | - |
TSOPI-48 |
| KFM1G16Q2C | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 | - |
FBGA-63 |
| AT25DL081 | 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 |
| K9HBG08U1M | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
TLGA-52 TSOPI-48 |
| S30ML512P | 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P |
|
Spansion |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
| NAND08GW3B2C | 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
TSOPI-48 ULGA-52 |
| M25PE10 | 1Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 | - |
SOIC-8 |
