Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STB80NF10 N-channel 100V - 0.012? - 80A - D2PAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 12 80 300 D2-PAK
STW11NM80 N-channel 800 V - 0.35 ? - 11 A - TO-247 MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 800 - - - - 350 11 150 TO-247
IRF737LCPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 300 - - - - 750 6.1 74 TO-220AB
FQP7N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 18 7.3 40 TO-220
IRFB4233PBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 230 - - - - 37 56 370 TO-220AB
STD95N4F3 N-channel 40V - 5.4m? - 80A - DPAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 5.4 80 110 D-PAK
STW19NM65N N-channel 650 V - 0.25 ? - 15.5 A - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 250 15.5 150 TO-247
NDP10N62Z N-канальный силовой MOSFET 10 А, 620 В, 0.65 Ом ON Semiconductor MOSFET
N 1 620 - - - - 650 10 125 TO-220AB
STP150N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 90 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 4.5 90 250 TO-220
STW19NM65N N-channel 650 V - 0.25 ? - 15.5 A - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 250 15.5 150 TO-247
FDD13AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 11.5 50 115 TO-252 AA
FDD3670 100V N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 22 34 83 TO-252
IRF2804S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 2.3 280 330 D2-PAK
NCV8402D Защищенные MOSFET-транзисторы для управления вторичными цепями ON Semiconductor MOSFET
N 1 42 - - - - 165 2 1.62 SOIC-8
STP12NM50FDFP N-channel 500V - 0.32? - 12A - TO-220FP FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode) STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 320 12 35 TO-220FP
STP33N65M2 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 24 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 140 24 190 TO-220
Si7138DP N-Channel 60-V (D-S) Reduced Qgd, Fast Switching WFET Vishay MOSFET
N 1 60 - - - - 6.5 30 96 PowerPAK_SO-8
FCPF16N60NT N-Channel MOSFET 600V, 16A, 0.170W Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 170 16 35.7 TO-220F
TK8S06K3L Силовой N-канальный MOSFET-транзистор для автомобильных приложений Toshiba MOSFET
N 1 60 - - - - 54 8 25 DPAK-3
STB11NM60N N-channel 600 V - 0.37 ? - 10 A - I2PAK - D2PAK second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 370 10 90 D2-PAK
I2PAK
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019